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标题: SIwave 学习求助贴 [打印本页]
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-16 14:39
标题: SIwave 学习求助贴
本人刚刚学习SIwave，遇到一些问题，向SIwave比较熟练的大虾请教。. }4 r3 X6 l' p7 l% P6 Q2 K

7 @+ J( k+ {4 v* ~0 r我按照操作手册操作，突然发现draw菜单下的选项变成灰色的，不能用了。有人知道为什么？% W) u6 \4 w1 l5 _
+ J/ ~! e* D3 l
我把文件关闭在打开，还是不能用{:soso_e115:}
" X$ L8 Y3 H6 ^! t6 P" a) \, x, o
9 f1 D% ]/ {5 x+ I# S

Snap1.jpg (45.21 KB, 下载次数: 0)

Snap1.jpg
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-16 15:13
这一章图哪看得出来啥啊，模式不对呗，处于非draw状态下，仔细再找找吧，新建个试试
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-16 15:27
新建一个可以正常的画8 d  `. l: {% O" V
上传文件，帮我看看什么情况。( M6 n" f9 |, z
灰常感谢

pcb_example.rar

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作者: jomvee    时间: 2012-5-16 15:35
点击下top-down view按钮就可以了，就是一个小眼睛和一个向下的箭头图案，你这平面属于倾斜状态所以不能画。
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-17 09:05
在SIwave扫SYZ参数时候，后面那个sensitivity代表什么意思啊？2 i' `8 {( u" E/ s6 k. u. ~

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Snap1.jpg
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-17 09:20
我的SIwave reporter打开报错，有知道什么原因的么》
% D3 ^( z( Y9 B0 f. f. c

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作者: yuxuan51    时间: 2012-5-17 10:01
beyondoptic 发表于 2012-5-17 09:05
  i3 ~/ ^4 M& r; }' s0 m, U+ |/ X在SIwave扫SYZ参数时候，后面那个sensitivity代表什么意思啊？

7 a1 E3 y+ }! y& Y/ D7 L应该是可以快速看到某个S/Y/Z的曲线的，不设没事
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-18 15:49
如下图的黑色圆圈部分的logic in为什么接到地上了？为什么不接到plus上？其他两个的都是信号线的都是接到plus上的。6 U. \# y) N4 o/ f* a# w

% {* R* I+ Q1 c) Z" k* p备注：U27 10  11 12pin为信号pin，28pin为VCC
/ F' S/ v) [6 X) x/ l, d/ V& u         u37  4   5  15pin为信号pin，20pin为VCC( i' q  F) H6 W. p4 ^) `

& q6 o/ O% N, J6 c: {这个是做SSN仿真

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Snap1.jpg

aaaaa.rar

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作者: yuxuan51    时间: 2012-5-18 16:22
可以接到激励源上啊，可能是为了方便观察其他两个BUFFER同时翻转时对那个静态线上的影响吧
作者: jomvee    时间: 2012-5-18 16:29
楼上正解: r! D9 b/ S3 L/ v) p
作者: sileader    时间: 2012-5-18 16:38
请问下我在DESIGNER-SI里面调用IBIS BUFFER器件的时候弹出
* p5 e* a  M/ \: Y& w! V如下的信息。好像是ibis libary没有，在哪儿加啊？

Untitled.jpg (33.51 KB, 下载次数: 0)

Untitled.jpg
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-18 16:59
sileader 发表于 2012-5-18 16:38
/ x8 D" }! ^8 Z  F; T请问下我在DESIGNER-SI里面调用IBIS BUFFER器件的时候弹出7 j8 v2 T; g- W
如下的信息。好像是ibis libary没有，在哪儿加啊 ...
. `+ }: w% D: E  K) A+ w1 C
是不是软件没安装好，重装一遍试试，还有一般我们都从外面调进IBIS模型，这个库里的模型貌似只是个壳子，还得你要指定路径，那就不如从外面直接调入模型了，下图+ h' }7 G/ T3 |& y6 B

' ~, [/ w$ P' V0 {1 X
, O2 _2 W% `0 N9 ^  ?8 g0 k9 F
' C( r0 d# _: S" J! A ( \8 Q0 E- o+ V7 N& o
9 V3 q% _  _7 s
作者: sileader    时间: 2012-5-18 17:15
yuxuan51 发表于 2012-5-18 16:59   z- E+ i9 `2 @/ ^+ O9 j: ~7 H
是不是软件没安装好，重装一遍试试，还有一般我们都从外面调进IBIS模型，这个库里的模型貌似只是个壳子， ...

. @+ b4 I5 D" ?! u2 E* x仍然不行，之前试过你说的, W( t' g. c" A3 V
显示如下：
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-18 17:23
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-18 17:26 编辑
3 `: I( N; M% z
sileader 发表于 2012-5-18 17:15 " B0 g6 z; C3 ?4 L
仍然不行，之前试过你说的
" k" }4 R/ X) v/ A2 G, w; h显示如下：

% A5 p7 N+ J9 G' {2 @+ W- P# j+ Q: d
看样子少库啊，把下面那个压缩文件的两个.aclb文件放在 \Designer6\syslib\Nexxim Circuit Elements 目录下试试
8 I; R! f; T- V, i. J! q# D3 q$ o( A5 M
2 T  `& |! z: l( J+ j- v, S
Nexxim Circuit Elements.rar (6.6 KB, 下载次数: 5)
作者: sileader    时间: 2012-5-18 18:02
本帖最后由 sileader 于 2012-5-18 18:09 编辑
' x. v; v4 n9 l; W
yuxuan51 发表于 2012-5-18 17:23 $ u, R. Z4 `' P) C/ s
看样子少库啊，把下面那个压缩文件的两个.aclb文件放在 \Designer6\syslib\Nexxim Circuit Elements 目 ...
) S) y% `( z7 j; N9 f" I( [1 v

/ R" h! x+ W& `版主，你太好了，灰常谢谢{:soso_e181:} ，但仔细看了一下，你给的文件我这里都有的。貌似不是这个原因。
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-18 18:22
sileader 发表于 2012-5-18 18:02 8 A$ o4 v8 ^- U0 x
版主，你太好了，灰常谢谢 ，但仔细看了一下，你给的文件我这里都有的。貌似不是这个原因 ...
: a: \5 s3 |3 W4 B- W
那就重装下吧，我实在想不出来什么原因了，从来没遇到过
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-25 17:51
最近忙就一个字，希望早点结束在来学习anfoft的工具。
作者: beyondoptic    时间: 2012-6-29 16:00
本帖最后由 beyondoptic 于 2012-6-28 20:02 编辑
. I% L, u0 j* L: T* D2 R; b
) ^* w+ j7 P3 `& m, C做目标阻抗时候，如果我选中1V电压这个net，有什么方法看到这个Net中用到哪些电容？那个circuit Element 中的电容应该为整版电容吧。
作者: yuxuan51    时间: 2012-6-30 10:39
beyondoptic 发表于 2012-6-29 16:00
' @! m( R+ k% O5 K( _# q; h' _, a做目标阻抗时候，如果我选中1V电压这个net，有什么方法看到这个Net中用到哪些电容？那个circuit Element 中 ...

$ e9 f5 ~" W. G7 K9 N进入circuit Element Properties对话框，在电容那一栏里找到正端节点那一列，然后点击下就会自动按照电源net名称排序，这样就找的话就容易多了
& Q2 z8 D( Y6 J' {, [+ M- N) o2 O$ e2 V) J* @

" i- r. l# N. p' i8 F7 d+ s9 ~ % Z% \$ k9 I: I! P5 p4 i
( \' |' d; s: r+ g  u

( C5 e8 _2 J/ Y
0 U! R6 p& @% b0 p4 f
作者: beyondoptic    时间: 2012-7-17 10:37
还是目标阻抗关于电容赋值问题：
" d1 h& [9 z. y6 q) ^/ I2 ~6 |. u, ?0 X6 N     电容赋值只能在local电容封装上右键编辑属性，在封装下每个具体的电容右键是不能编辑的。如下图。那如果同一封装有不同容值，比如0402封装有不同容值，那怎么办？自己可以把0402不同容值的分别丢在新建封装下面？比如040201 040202等等，这样就可以统一编辑了。但感觉这个方法有点笨笨的。而且如果电容很多，量就有点大了。请问大家是怎么处理这个问题的？

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作者: yuxuan51    时间: 2012-7-17 11:03
beyondoptic 发表于 2012-7-17 10:37 5 @- p3 g9 |4 Q' Y/ B  S
还是目标阻抗关于电容赋值问题：
5 r* T$ e9 J$ ~+ C+ K: h* T1 l7 E     电容赋值只能在local电容封装上右键编辑属性，在封装下每个具体的电 ...

" }% R* {0 d) U我觉得最好在画PCB的时候就将同封装不同容值的电容封装名称区别开来，这样一导进SIWAVE自然就会各归各类，不需要重复劳动了。
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-3 16:00
请帮忙看看我这个工程文件提取走线的S参数为什么提示说没有port啊？什么情况。谢谢先

test.rar

86.05 KB, 下载次数: 3, 下载积分: 威望 -5

作者: yuxuan51    时间: 2012-8-3 17:28
beyondoptic 发表于 2012-8-3 16:00 + Z2 G- I3 [; e# J( V  u; ]
请帮忙看看我这个工程文件提取走线的S参数为什么提示说没有port啊？什么情况。谢谢先
7 e' X, \2 D% K- \, S! y! t
看了一下你的工程文件，首先你的平面层的铜皮好像都没有，这样你所有的GND貌似都是分散的，没有连成一个整体。仿真时肯定会报port的负端错误，另外你的接地孔对平面层都是有隔离焊盘的，不知道是不是平面层没有铜皮的原因。你再好好整理下工程吧，导入siwave做仿真前肯定要仔细检查下。
; p* b$ P' Y/ h. D, ~: N
/ Z4 W! k3 g  k% \$ D5 |* q/ ?. P4 D6 s+ r; H

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作者: beyondoptic    时间: 2012-8-3 17:54
yuxuan51 发表于 2012-8-2 21:28 6 M8 x) \7 z" Y8 o, ^( o+ a9 Y
看了一下你的工程文件，首先你的平面层的铜皮好像都没有，这样你所有的GND貌似都是分散的，没有连成一个整 ...

+ R0 }, K( H) U. {4 X- _, F+ Q
我刚刚看了下，这个是问题很多。这是个前仿的板子，很多东西都没做完。所以导SIwave 后check了一下下出了很多问题。
" _) K( \* A* U+ k我就是想提取那个走线的S参数，而且不包括过孔，过孔用HFSS画的。; d5 R( X) M7 S! p: M& D: i
6 ^& F* f/ ?  K4 `' j
就是想知道如果只想提取走线的S参数，有什么好点的办法把那些错误干掉，因为走线走在22层，只需要考虑23和21层就可以了啊。
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-3 17:57
本帖最后由 beyondoptic 于 2012-8-2 21:58 编辑
7 v( D3 _+ l. g4 h
1 L. Z4 w" Y* i看来短期内用SIwave做前仿还不行啊，SIwave还是用的太少{:soso_e127:}，出问题了不知道怎么去干掉错误。。。。。
3 [: F: M- |- O5 A) Z* E还是后仿别人把板子都弄好了在用SIwave了。
作者: yuxuan51    时间: 2012-8-3 20:28
beyondoptic 发表于 2012-8-3 17:54 7 x8 p+ x% Y5 ^0 g% z' C1 t7 z
我刚刚看了下，这个是问题很多。这是个前仿的板子，很多东西都没做完。所以导SIwave 后check了一下下出 ...

% j% U% r" J# |可以前仿的，前提是层叠结构，net分类都弄好了，该相连的net相连，该打孔的地方打孔，这些问题在layout工具里修改还是很方便的，不然在导入到siwave里再修改够你受的。
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-4 10:42
我去设计文件里面把地都铺上了，在把那铺铜没铺好的在SIwave里面merge一下，现在可以跑了。哈哈，有一小点干掉那讨厌的error的成就感:lol
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-4 10:49
斑竹，顺便问一下，我在过孔哪里设port时候选层选走线所在的层，参考地选择就近的地，这样的话就是纯粹提取走线的S参数而不考虑过孔了吧。就像上面工程文件那样设置port。我这样理解对么？
作者: yuxuan51    时间: 2012-8-4 11:09
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-8-4 11:11 编辑
/ n6 P& g3 _$ _* j( k5 K$ l
beyondoptic 发表于 2012-8-4 10:49
* \# I; [( z  N* C' J6 r斑竹，顺便问一下，我在过孔哪里设port时候选层选走线所在的层，参考地选择就近的地，这样的话就是纯粹提取 ...
  O7 m# u' s& a* Z* M+ w  J! t1 |: @
5 Z* s% V; N9 b6 m- K3 c
选参考地的话怎么方便怎么来，只不过要注意的是走线的真实回流路径一定要和你选的地是连在一起的以保证走线和参考平面有激励电场的建立。另外只要你附件有导体结构，不管是过孔还是其他走线，只要有耦合效应，那么跑出来的S参数肯定会包含这些影响的，除非你把附近这些导体结构都干掉，不过要是这么做的话本身意义就是不考虑附近导体结构的影响。
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-4 11:36
这个观点我有点不同意，应该说软件在求解的时候整个结构都做mesh，但是提取S参数只是port之间的。; [1 u: U) ]3 i4 r' P
至少有一个例子我是做过敢肯定的。就是用SIwave做两个平面的谐振时候，看谐振点高和底的地方目标阻抗有什么不同。在这个例子中整个结构是不变的，只是port的位置不同，最后扫出来的S参数是有那么一点点区别。所以我认为传输线在过孔的位置设置port的时候只是提前port间互连的S参数，对于port之外的结构应该是做mesh，但对port之间的影响有多大不敢确定。
作者: yuxuan51    时间: 2012-8-4 12:14
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-8-4 12:17 编辑 & Y. {* Y: B% f
beyondoptic 发表于 2012-8-4 11:36
7 J1 \3 s: W7 A% v6 W! y% z6 f这个观点我有点不同意，应该说软件在求解的时候整个结构都做mesh，但是提取S参数只是port之间的。
" k8 H6 X* N7 N0 w% ]至少有一 ...
4 l. Y! n; i/ I" T7 a
8 s2 C; H' F" T* \$ h
PORT只是说在导体和参考平面之间加了一个激励，它并不能保证所加信号在传输过程中产生的场一定限制在导体之间，一旦周围有其他的导体结构，则其他导体和原传输导体间由于电场或者磁场的耦合会感应出电流，最典型的就是串扰，其实就是传输信号能量的一种损失方式，你可以做一个试验，一对耦合线1000mil左右（尽量保证单根在50欧左右用来消除回损对结果的影响），一根线两端加PORT，还有一根悬空，然后提取S参数，看看S21会有什么现象，这个结果再和只有一根线加PORT然后跑S参数做一下对比。可以比较得出旁边有导体结构对提取S参数有没影响。
作者: beyondoptic    时间: 2012-8-4 12:40
我试了下，是有差别的，我在过孔哪里设port应该是包含过孔的，我刚刚有把孔删掉，只留线。结果和先前还是比较大的。



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