EDA365电子工程师网

标题: HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件? [打印本页]

作者: mengzhuhao    时间: 2012-4-11 08:39
标题: HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?
HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?
' h5 [% c! S0 x, q5 c. j: ^1 f6 w8 v8 b# z2 x+ e

+ O- V5 B9 R" W& f) D+ X
2 q+ N! ^# Z& H0 A因为之前尝试使用LUMPER PORT端口,辐射边界是包围电路的air腔体
9 a/ ?2 @3 E4 H" S& {2 k/ T+ h, _& N4 i
在使用WAVE PORT,腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
: t& g# G  ]. V" p# h
6 p( r: s. c8 b; D& Z  Z1 ~# D+ z& H5 `8 H' J0 j; a
/ v% A5 S. L- J8 |

, u& z1 Z$ \% C, R9 f5 {: E. W! ~6 N- Y; o5 N/ \
请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界?这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗?这样的结果是否是准确的- C+ W1 }5 F$ \, P# c
9 G& Q( p" J, n6 z7 F! ^
6 e% d1 T8 Q2 u$ X4 V' q; C

6 J4 N8 u  l, S+ \因为看hfss的一个full book里面的一个via模型,也是按WAVE PORT设置的,电路板的边界与空气腔体全接触,使用的也是辐射边界
4 V6 A% e* f, \% N
( q' t( n1 p8 z, b# {* p) D6 l/ `+ {; j
8 I7 }9 b& u0 \# x" ?$ R0 o5 n" x
另外,好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
% t4 G2 B0 c& x% r' a
0 v& Q# _  N' X) J" g' {2 d它跟辐射边界有什么区别么?" }. d) Q1 k6 D! s7 R

" m: }: Q1 q1 n' ?* E* f* h' v+ R2 w7 Z; G; a* p' K
4 \  K2 j% Y3 y* \  E5 F
希望有经验的朋友指点指点,一直比较困惑
! ]$ o- C9 D; l; V
作者: mengzhuhao    时间: 2012-4-11 18:41
“wave port是以平面能量來計算,lump port是以V/I來計算,理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”/ b6 b: b# e# [& F- t

4 V- r) D% d8 Y) D$ Y* z* n有介绍是这么说的,但如果存在差异问题可能在哪里呢?
作者: mengzhuhao    时间: 2012-4-11 19:07
mengzhuhao 发表于 2012-4-11 18:41 7 a, u2 i, @; z7 P, D
“wave port是以平面能量來計算,lump port是以V/I來計算,理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。 ...

& C! B0 M, \5 \1 R2 Y
# k1 l9 Z4 [$ o2 @% E$ P; z8 {# l" z2 o: E! i" K1 `6 ~
使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界;不知这样的设置道理何在?7 s8 B$ G) G- M0 p" h6 d0 h4 j
而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
' {+ q" o* ^6 N" T# u5 f, G实感比较困惑
; B& u4 {) o+ _5 T, j8 Z
) u$ G6 d1 ^  R' L3 W% t( _附件是hfss13的工程
9 `+ |* s; x1 I1 J) p$ o
9 J0 Q  r5 d& w6 i LUMPER_WAVE.rar (106.04 KB, 下载次数: 21)




欢迎光临 EDA365电子工程师网 (http://bbs.elecnest.cn/) Powered by Discuz! X3.2