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磁珠和电感的区别

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发表于 2012-3-19 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。
  R* C& }" `3 O4 R% y% m. e电感多用于电源滤波回路,磁珠多用于信号回路,用于EMC对策磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰,而电
" M# h" z! v$ i8 f" F& O# Q5 b6 r感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。磁珠是用来吸收超高频信号
1 h. D# D8 L; a$ u8 I,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入
% x& z! p9 F. Q8 {. y: {  J6 Y部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过
2 B: N- _) w' V! m5 e1 m错 50MHz。地的连接一般用电感,电源的连接也用电感,而对信号线则采用磁珠。5 B8 t( X8 X3 D* w$ ?6 i
但实际上磁珠应该也能达到吸收高频干扰的目的啊?而且电感在高频谐振以后都不能再起电感的作用了+ D( h- X. p  t; D( o4 R
,先必需明白EMI的两个途径,即:辐射和传导,不同的途径采用不同的抑制方法。前者用磁珠,后者用电
( X+ E( y- R7 W1 x, n) d+ n0 V感。对于扳子的 IO部分,是不是基于EMC的目的可以用电感将IO部分和扳子的地进行隔离,比如将USB的1 W! w9 Y+ H: g* U
地和扳子的地用10uH的电感隔离可以防止插拔的噪声干扰地平面?电感一般用于电路的匹配和信号质量
) Z- |+ x% P- P+ U1 |8 S1 b6 y的控制上。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。在模拟地和数字地结合的地方用磁珠。数字地和模拟地2 O( C. k+ @, e( {4 D0 A6 c
之间的磁珠用多大,磁珠的大小(确切的说应该是磁珠的特性曲线),取决于你需要磁珠吸收的干扰波的频率," G/ q  v! ^- }7 L! R
为什么磁珠的单位和电阻是一样的呢??都是欧姆!!磁珠就是阻高频嘛,对直流电阻低,对高频电阻高- y8 ], B" e; r! t
,不就好理解了吗, 比如就是说对100M频率的信号有1000欧姆的电阻,因为磁珠的单位是按照它在某一
1 r4 D9 _7 h6 Y* g频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。磁珠的datasheet上一般会附有频率和阻抗的特性曲线
7 F5 V+ Z2 y" [) c9 [# X% R图。一般以100MHz为标准,比如2012B601,就是指在100MHz的时候磁珠的Impedance为600欧姆。: |! `7 v: S+ f8 Q" }8 R
铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金,这种材料具有很高的导磁率,他可以是电感的线圈绕组之间在高频
& D3 @! V( Z& N. B, `" Q" }高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体材料通常在高频情况下应用,因为在低频时他们主要程电感特性,2 ?( t' ?) d0 G  f+ Y& p2 P
使得线上的损耗很小。在高频情况下,他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中,铁氧体材料
& Y% m) u% _1 u2 k% G7 X# c是作为射频电路的高频衰减器使用的。实际上,铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联,低频下电阻被
+ H6 x- A1 q/ H* X( O+ p3 S电感短路,高频下电感阻抗变得相当高,以至于电流全部通过电阻。铁氧体是一个消耗装置,高频能量在0 C3 N2 \* t1 C/ }! S5 }) @0 W
上面转化为热能,这是由他的电阻特性决定的。
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发表于 2012-3-21 17:40 | 只看该作者
很好的文章,顶一下

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发表于 2012-12-27 15:26 | 只看该作者
:victory::victory::victory:

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发表于 2012-12-27 16:31 | 只看该作者
多谢分享。。。

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发表于 2013-1-27 10:35 | 只看该作者
拜读了!

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发表于 2013-1-30 19:47 | 只看该作者
好文。
3 q8 l* K# h( E" n, E另一区别,一般磁珠是半圈线圈,电感更低。
: l7 E: ~- \! f! D6 a

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发表于 2013-3-21 20:06 | 只看该作者
学习了4 n; a5 K* p9 P0 x; f

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发表于 2013-8-1 17:15 | 只看该作者
看得有些眼花。。。得慢慢梳理
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