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标题: 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题 [打印本页]
作者: sunuy    时间: 2012-2-7 15:34
标题: 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题
用4.0解的SIWAVE 5.0，PI Advisor功能是不是不能用呀？能进第一步，第二步不让进，是要设什么吗？用过的指点下！

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未命名.jpg
作者: yuxuan51    时间: 2012-2-7 15:47
标题: RE: 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-2-7 15:50 编辑
9 j* l# v& S7 K+ `, a8 J0 A0 r# P
就一张图片，说不清楚啊，看情况貌似是目标阻抗没设置好啊
3 D" |/ }! H+ H3 v/ M2 b" v% N$ y& @! t# Q. h. J
作者: sunuy    时间: 2012-2-7 16:09
{:soso_e110:}设置方法开始不知怎么加，谢谢yuxuan51
作者: sunuy    时间: 2012-2-7 17:03
这个错误怎么处理？

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未命名.jpg
作者: yuxuan51    时间: 2012-2-7 17:07
sunuy 发表于 2012-2-7 17:03
1 d5 U1 |5 m8 [. e4 k7 W% Q2 _6 T这个错误怎么处理？

6 v, s3 t& T2 |2 i得加个VRM源的PORT，也就是在你供电电源处加个port，然后在图中位置选好，VRM源的输出阻抗可调
$ E% E5 ?0 k5 b1 T) p; K1 y
2 i+ ^+ c+ v: |+ l% U' t9 N8 _: Z话说你用一个新功能的时候不看guide么{:soso_e122:} ？
! H' F# u% B6 J* f, x
/ v* C$ m& \% U. u
& m2 T# J& V" ^6 l+ H 4 W0 G& u' l' p

5 b' Q5 ]  ?3 q4 X
* x- Q& e+ o$ y+ g3 c: e1 f' }! s6 l. \  @: K4 e; O7 R" B" H
作者: sunuy    时间: 2012-2-7 17:23
加了呀，

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未命名.jpg
作者: yuxuan51    时间: 2012-2-7 18:03
sunuy 发表于 2012-2-7 17:23 / Y0 P8 Y6 `9 A/ O. G
加了呀，
" I/ R( B9 j! `! J
你把整个对话框截图给我看看
作者: sunuy    时间: 2012-2-7 18:44
见图

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未命名.jpg
作者: yawyw    时间: 2012-2-7 19:48
yuxuan51 说的没错
5 c7 [) u2 [# m$ o% \4 U估计你VRM Port设置的不对
4 b% j8 d5 l( \0 L" c+ p' `截个图看看
作者: yuxuan51    时间: 2012-2-7 19:52
sunuy 发表于 2012-2-7 18:44 + G0 U& z' o0 ~
见图
1 q" K+ N- X3 F" C" E8 e
在左边的框里将VRM的PORT后面那个框不要打勾。
作者: yawyw    时间: 2012-2-7 19:53
本帖最后由 yawyw 于 2012-2-7 19:54 编辑 $ T. Q" c( q8 r) u; W7 J
yawyw 发表于 2012-2-7 19:48 5 O1 b2 ~- m" A  M
yuxuan51 说的没错. n$ V) c' c* O" C+ S
估计你VRM Port设置的不对: k" t! @# P& F: H- l2 D
截个图看看
$ E% |% N" `3 U9 l3 K+ j

* Z: S" B/ U" \请重新定义VRM Port，看起来你没有定义(create) VRM Port
& q2 R. Q! Q' J# u% Y: Z8 H& r/ C) i1 T
作者: sunuy    时间: 2012-2-8 15:26
谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。3 P) e$ U: J# u. m  [
从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。% V; P1 Y: X  g) Q
不知SIWAVE能不能在目标阻抗不能满足的情况下，建议加电容数量、容值及加在什么地方。
作者: yawyw    时间: 2012-2-8 16:54
sunuy 发表于 2012-2-8 15:26
: P8 l* m+ ^# C! b4 r谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。
- e$ e0 z. l! j  f4 h从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。 ...

+ \/ @# f: G6 G5 X3 V) T2 t似乎还没有这个功能
作者: picibi    时间: 2012-4-29 16:54
本帖最后由 picibi 于 2012-4-30 17:40 编辑 + _8 i$ s, I0 p; N+ W+ |
* M5 W4 x9 V) p- z" Q; d) j1 y* ]
我也在试这个功能，
作者: willyeing    时间: 2012-5-2 15:49
sunuy 发表于 2012-2-8 15:26 - `7 n# s/ m9 ^
谢谢yuxuan51和yawyw，没设对引出的问题。跑通了。
/ R6 z" x$ J+ B% l& r从仿真结果看，PI Advisor能优化电容值及简化电容数量。 ...

8 w+ _/ J1 }$ O$ f2 L& A6 ^. I没有，据说sigrity的那个有这个功能，不知是不是真的，没有用过。
作者: beyondoptic    时间: 2012-5-4 08:37
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
4 n% ~4 O0 j& c1 M: G8 u6 v6 f5 y就一张图片，说不清楚啊，看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

) A2 v4 q/ N* Z5 b) Q0 r
3 v# j1 s. J  n) O- j, S7 A3 S  i请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-4 09:02
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37 7 |7 I: K. T- s+ k4 n8 _
请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

; P* A+ U& k& |" e) a! x那个只是个示例，最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定
作者: picibi    时间: 2012-5-8 10:26
也请教一下yuxuan51版主~~
9 s# I8 X( r* T最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据，能不能教大家算一下？  Y6 M; S* p3 c2 D+ W. q$ B
DDR3 DRAM datasheet 中: Y6 t) c& ^( z  \" j% z
           Parameter                                            Symbol                       Max
" W* `# O+ |4 ~4 ]# H- B6 UOperating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
6 a$ y0 k2 x2 K0 c0 mOperating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
+ L9 j1 i3 e) Y6 x7 P8 C6 tPrecharge power-down standby current               IDD2                        35MA
  x' a% n0 s" yPrecharge standby current                                  IDD2N                      45MA
, z. D) Z1 C$ S; V8 J; tPrecharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA* I5 d& S& }' C9 D3 v4 H/ S
Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
4 ~5 K) g1 v. a# }0 L3 [) WActive power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
0 i, Z7 x, T2 V# Q, H) v' p$ zActive standby current                                       IDD3N                      55MA1 E4 C- O8 J- X2 \) Q. D: }$ D
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
0 P# C0 C9 O1 ?Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
. }% n# J# n2 d0 d8 a' lBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA0 q( M* V- B$ U, ^- Q
All bank interleave read current                            IDD7                        210MA
6 \, s+ u; r+ h8 F( I最大电流按250mA * 0.5 算？？) \# G( |5 c! q
另外，一条板子需要8个DRAM颗粒，这样的话是不是电流还要乘以8？: q" H+ x/ u  g/ P5 N
先谢谢~
作者: yuxuan51    时间: 2012-5-8 11:27
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 $ [  y1 c  J  N
picibi 发表于 2012-5-8 10:26 3 G7 A  _; K* M
也请教一下yuxuan51版主~~* }3 \5 n  M  b% p. u( u
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

/ |! x( [2 w$ X' m; }
5 p) q7 m$ d' L1 B% s' X7 e) s首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
* p* r5 L& H, B  q7 d1 _- ?; S* b
& E$ m; T, m" l' P下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来% h0 C8 r+ G4 B0 u( W) B5 D
. G8 G8 H( O0 @9 ^
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型5 I4 H& \& g. p6 @2 m

3 b" Q8 [; e! Q7 A( q7 X然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流- A2 A6 C; K4 E. \4 c0 Z  M

1 a' Z! y- O* p, L+ ~
( R% e" S8 y; U& r $ A, e! c9 }0 e2 A/ p  s

& _2 n" ~2 q' P1 M  M9 n, q* u4 w) n! s8 _0 [; [
7 O7 X5 ?' V) d* [" S. ~
然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图/ Z, @1 p2 i' b2 j& p; K% k* W

7 O9 u) o2 W5 b! J, m% z5 \; {6 l  S3 A/ [! M, w* a, H2 r" j# r. i

, ~3 y5 r0 C3 K1 i6 M/ \: {7 S2 T  L0 r; f3 A

. z% H- ]6 D* v% |4 `8 V9 W7 j4 {7 `5 D
4 T3 N) H0 V) f6 ], Z
当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了
* M  s/ J. X8 c: q7 K7 N5 J  P7 D/ A/ [) M: v. A) A0 f" a% P
作者: szsunny    时间: 2016-3-29 17:13
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了？



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