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标题: DDR2 VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用？ [打印本页]
作者: beyondoptic    时间: 2011-12-9 17:37
标题: DDR2 VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用？
如题，有人知道在DDR2的VTT和VDD之间加一个100nf的电容有什么作用么？# p4 R" w  }- ]3 y$ a! s7 O7 ]; j4 v
有可以提供相关的资料么？
作者: doya    时间: 2011-12-9 17:37
这是典型的Dimm的设计方法，通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考，所以这里将地址控制信号的VTT用电容接到VDD。但如果我们设计的DDR2的地址控制信号是以GND为参考，那这里的电容就应该接到GND而不是VDD。楼主去找dimm条的设计，几乎都是这样的。
作者: chengang0103    时间: 2011-12-10 16:54
问题不详细。- L4 V1 U. m3 W
我猜，可能是有线跨了两电源的分割。
作者: beyondoptic    时间: 2011-12-10 17:06
本帖最后由 beyondoptic 于 2011-12-9 21:12 编辑
. h5 c9 [- y+ x9 L
, i6 b3 u5 X6 D, G可能说的是有点不清楚，但原理图是客户的，不便截图。
& ^; I, A1 z. F: h, x5 ^: c% i补充一点100nf的电容有好多个接到VTT和VDD之间。( z' s1 O( |" ]. r! _: C
希望有见过这样设计的guide的大虾能分享一下，谢谢。
作者: qiangqssong    时间: 2011-12-13 17:53
减小两电源间的阻抗！！！估计
作者: shark4685    时间: 2011-12-14 08:34
查了很多资料,目前原因还是没找到.
作者: beyondoptic    时间: 2011-12-14 10:47
doya 发表于 2011-12-13 13:13
, w% g; h4 a- Y0 ]这是典型的Dimm的设计方法，通常在Dimm上DDR2的地址控制信号都是以VDD平面作为参考，所以这里将地址控制信号 ...
7 |# |) N2 ?5 X; E
谢谢doya，觉得说的很有道理。我们这个设计确实是带DIMM的ddr2
- c7 J6 s8 w2 d- W( s一般对于带DIMM的DDR2的地址命令信号由于处理器芯片内部和DIMM处都是参考了VDD。设计时候要求这些走线尽量参考VDD。
作者: shark4685    时间: 2011-12-14 11:11
本帖最后由 shark4685 于 2011-12-14 11:22 编辑
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我的案例是DDR3颗粒！地址参考的是GND和VDD
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作者: dzwinner    时间: 2012-1-11 10:06
本帖最后由 dzwinner 于 2012-1-11 10:07 编辑
4 ]" }& o. O, `+ U$ Q4 O
shark4685 发表于 2011-12-14 11:11 ' h1 a" D5 G( D& M
我的案例是DDR3颗粒！地址参考的是GND和VDD

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版主你好！我最近也设计了一个DDR3，是2片的。我看到你截图中的设计好像是菊花链式的拓扑结构，但具体怎么出线还不是很清楚，可否把这一部分的走线PCB 发给我参考啊！谢谢了！如果实在不方便，每一层的截图发给我也可以。万分感谢！  J& t2 i/ t- L' r. ^$ x
我的邮箱：77897767@qq.com
: ]9 I, N. y: ~; J6 J其他有这方面资料的，也请发给我，小地感激不尽！
作者: yaoyun    时间: 2012-1-20 16:37
我觉得这个电容是用来提供连接Vtt到Vdd的路径的。
1 ~: \* w5 Q9 v0 Z% q- ~+ Z记得intel一份文档中有提到如果ddr之类的高频信号线换层的话，就在换层的地方每5个信号线放置一个小电容。



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