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标题: 求助:关于ddr3的布线规则 [打印本页]

作者: haijunstar    时间: 2011-10-22 16:49
标题: 求助:关于ddr3的布线规则
今天布了一块dd3的板子,板子的走线的拓扑结构是fly-by的结构。但是在绕等长的时候出现了困惑。7 c0 V. U4 p' Y& i% B
问题主要是在绕clk线。开始的时候我是按照地址的走线的方向,即线先从CPU到上面的一片的ddr3,然后再拉到另外一片ddr3.但是发现这样到另一片的ddr3的长度比CPU到另外一片的数据线长了很多,如果绕数据线,下面的数据线将很长?请问关于fly走线的情况下,clk长度是如何匹配的,CLK的走向是同地址走flyby的方式呢,走T型的,希望大家帮忙解决。
- X$ i6 N" i4 Y6 U0 J. P: s如图:
3 H6 d4 B' c; y

DDR3.jpg (263.21 KB, 下载次数: 56)

DDR3.jpg

作者: 819535006    时间: 2011-10-22 17:49
我对DDR的理解都是走T型。因为如果走菊花链,这样地址组必然寻址时间不一样。而数据的读写前要进行寻址,这样就会引起读写操作的不同步性。" G5 s$ T3 N6 o1 d
但是很多文献说要走菊花链,就如你的DDR3。我是新手,也搞不懂,希望大家讨论一下吧
作者: WZS_PCB    时间: 2011-10-24 09:40
这个可以看下chipset的guideline,里面会有提到
作者: haijunstar    时间: 2011-10-24 09:46
WZS_PCB 发表于 2011-10-24 09:40
8 H5 W( I% S& _% \! O这个可以看下chipset的guideline,里面会有提到
, ~- N9 \5 ^6 X. g
那里能找到?
作者: routon    时间: 2011-10-25 11:03
如果是菊花链的拓扑,两片DDR3的布局就不能对称。LZ的这种摆放明显更适用于T型,地址线/时钟从CPU出来在T点打孔,分别到两片DDR3,VTT电阻就从T点的过孔引出。




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