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学习Cadence的笔记（十）-2010.3.15
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作者:
njdemale
时间:
2010-3-15 16:24
标题:
学习Cadence的笔记（十）-2010.3.15
1. Oops=undo，在setup/user preference中可以设置undo缓存空间及undo步数或者说是深度,范围是10到50步。
5 y# |& d+ }! l. T1 ?8 w B
, D8 p0 k2 N3 n2 E$ W. q9 M
2. 对于
表贴pad，只需要设置 Top、Soldermask_Top 和 Pastermask_Top 三层即可
；对于
过孔pad，不需要设置 Pastermask_Top 层
。
/ N, |) l, H# D) o. N* C
' M* |+ ^) l8 n9 z$ \& _
3. 做封装的时候必有silkscreen top, assembly top, place bound top,
2 s, [; g* z" F7 A! \! G# \0 |. \
( Y& j3 X0 k: r- d8 Y
display top 一般是在这个层上在器件的几何中心画一个十字，这样方便定位,
2 H5 i* f H( Z6 a' h
# @" [. `1 a5 p$ d: I1 S
DFA bound top 的意思是Dedign For Assembly bound top,作DFA检查用。
- I3 q$ K% f( S9 V4 {' R
- U1 z2 O1 W' J* Z0 ]" L( ?2 T
package的assembly是器件的外形,Ref Des的assembly是封装的名称,
Component value的assembly
写个Val就行了，可以不加的,
" g; A$ ]& r/ [, p3 R8 e
. G0 ~. d Y: S" V
place bound top和DFA bound top定义成一样的，反映的是器件占用的面积，它们不一定和assembly一样，因为器件的外形和他占用的面积不完全一样，这个要依赖于布局布线的
' E* c. C2 F, p
) J& b, I; r. G$ n
考虑。
8 k9 Y, ~4 Q4 D9 O- Q
0 R6 b% ?3 D- X" C% l
: _; [# X; L9 v* B
4. 晶振附近的覆铜，电路中的晶振为一高频发射源，做法是在
环绕晶振敷铜，然后将晶振的外壳另行接地
。晶振附近的接地隔离带，一定要良好接地。
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" }8 M, i) W4 X- q
7 o* R. @7 l& F4 t
5. 多层板
中间层的布线空旷区域，不要敷铜
。因为你很难做到让这个敷铜“良好接地”。
作者:
aming05
时间:
2010-3-15 18:12
跟着学，就是跟着向前冲……
作者:
ylscqu
时间:
2010-3-15 21:59
说说封装中的金手指如何做行吗？谢谢！
作者:
apple892
时间:
2010-3-16 05:22
路过。
作者:
cake
时间:
2010-3-16 10:55
我对第5点有疑问，我们现在做的多层板，中间层的布线都做到铺铜了。另我问了其它的朋友他们做的时候也都有铺铜.
作者:
njdemale
时间:
2010-3-16 11:22
回复
5#
cake
0 t+ g& e$ J( n1 o1 u% Z* s7 c; ^
这不是我自己的经验，呵呵，可能是中间层覆铜的工艺方面的问题吧
作者:
dreamfly2009
时间:
2010-3-16 11:53
铺铜是没问题的
2 M3 y$ m' Z: h8 V+ @& [( j7 A
只是要搞清楚铺这个铜的作用是什么
0 ~; [1 ~2 F( G v; } _/ `
这样就比较好处理了
作者:
xin_yu
时间:
2010-3-16 12:52
“ 多层板中间层的布线空旷区域，不要敷铜” 这个不太理解，谁能解答下啊。看过很多板子都是铺地铜的啊
作者:
njdemale
时间:
2010-3-16 19:18
回复
8#
xin_yu
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1 P" X$ L" d$ L9 C' {4 [. O' u& _
一般覆铜连接到地网络是比较常见
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