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标题:
SIWAVE 仿真遇到的疑惑
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作者:
WOODSS
时间:
2010-2-25 16:45
标题:
SIWAVE 仿真遇到的疑惑
我在对一块8层PCB 上的一组微带线进行S参数的仿真,发现与实际网分的测试结果相差较大,线宽,叠层和材质都是按照PCB板厂提供的设置的,而且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反,不知道什么原因。另外板上过孔在仿真过程中怎样设置。请哪位高人指点一下。
作者:
袁荣盛
时间:
2010-2-25 21:08
首先你说的仿真与测试结果有很大差异
0 x: S2 K8 q$ j1 X1 u
Siwave进行微带线的S参数提取,得到SnP文件
) d' [, W+ k* u. ?
但是你的测试环境是怎么样的呢?
5 u5 t2 o) K0 Y8 Z
用VNA么,微带线端口有SMA接口么?
# {6 D, @# _% H$ r* W* ? O) y
/ W, C$ Z2 P3 v: L3 t& M! r4 r
不介意的话
6 z# d9 M: ~4 F( k0 w5 @! J- I
把插入损耗和回报损耗的测试波形发上来看看就明白了
8 m" S: o7 ?5 y' r
完全相反倒不会
作者:
binmuk
时间:
2010-2-26 10:14
应该是科学可以解决的问题!
作者:
honejing
时间:
2010-2-26 23:12
我會比較相信网分的测试结果。
, W1 y5 s0 F/ y, A/ ^$ {* P5 Z4 T
且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反 ==> 會不會是 Port 看錯或設錯?
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