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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-11-28 21:31 编辑
1 D& b' U/ @. g" h, t" B9 @2 q, Y7 w B9 A @" K
做一个六层板
0 |4 J1 u! L" ] V主芯片是DM6420 {" S; g' h! }/ t2 S# c. W& a
在做SDRAM信号线仿真
5 \5 j O6 J. d( V; g
5 O/ c4 w6 D' @3 [看到大家做DM642电阻源端匹配的时候一般用33欧姆的电阻
6 I/ U; \7 a- \3 g* v* ?+ L, c: k1 p X7 {2 C
我驱动端到匹配电阻的传输线程度为560mil,阻抗为73欧姆) O3 y7 Q7 s8 Q. u
匹配电阻到接收端SDRAM的传输线程度为1200mil,阻抗为66欧姆
* r S8 ^; X" B/ i4 I. i+ z+ P; M" g9 T+ a3 Q& A
但是用33欧姆的匹配电阻做仿真的时候波形的过冲差不多有1V% \% V: V# b4 a) M' p! Q4 D
3 ]0 H" i0 D0 @, D6 o
改为68欧姆的匹配电阻做仿真,波形大为改善
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# x4 l4 L, N6 e. _请问我应该用哪一个组织的电阻呢?. X c$ E1 f. U0 D+ c
用68欧姆的电阻波形好点,但是为什么别人做匹配都用33欧姆的呢?1 L5 s. Y& B2 O1 b; a. E; R6 H
& i* D' o$ o! o1 B0 l5 Y
还有我的驱动端DM642到匹配电阻的距离这么长,是不是起不到匹配的作用呀?' b( a, J4 h9 N
请大家不吝赐教,我都快急死了+ f) `" s- b e, }
拜托了! |
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