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标题: SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑! [打印本页]

作者: mengzhuhao    时间: 2009-6-4 20:06
标题: SIWAVE仿真讨论:PI仿真流程问题与疑惑!
本帖最后由 mengzhuhao 于 2009-6-4 20:54 编辑 ; N. D" ~, C2 E: [7 F

; X: U8 O% S" e在进行PI仿真的时候,首先导入PCB文件
+ c' h2 I: Z2 T' D- W1 S3 z这个时候是不是先所有的退耦电容先无效或者去掉
* m/ X9 D3 c' u, Q5 R
* r  t6 a3 j4 p" ]& |, D在电源网络的各个端口设置S参数探针& Y; v6 [, ]  @
直接进行S参数仿真,查看Z曲线,看改电源网络在交流阻抗上的变化趋势% @/ v/ ^! \8 a! q

5 a, k8 }6 [+ m7 R; r找出阻抗峰值点的频率& H2 \  K2 K: r4 \

9 |: L: Z  A+ I这个时候再进行裸板谐振仿真! ]& o- R& n0 ]( a( a! S1 T  S2 t$ K
找出谐振幅度最大最小的地方
5 V" m" w2 t( K3 `
. v& s- b2 c# |, j: |: D; q这个时候的一个疑惑是:在S参数里面出现较大阻抗的地方未必在谐振频率点上!那加电容的对策应该如何考虑?0 S" y: @; {4 @0 c8 u, D
& P# Y" Z  Z& o+ v
加入像我下图中,在412mhz的地方出现一个较大阻抗,差不多20欧姆,但是谐振仿真出来是3个频段,没有包含那个
7 O7 d; C  l8 X: @2 m
5 i- G5 x& {; F7 ]$ r/ E他们之间有什么关系吗?还是一点关系都没有?" ^4 F" u# j' V- W1 e

6 Y4 F! d( K; e9 n: U, \裸板的那个谐振仿真是所有vcc与gnd间的谐振,是带默认激励源吗?这个激励源应该如何理解?& I7 v$ ^1 Z" ~  g# Q$ ?2 r
1 x& g8 x- }9 h3 K9 {
见一些资料说,这个仿真意义不大,需要加激励源仿真,那么这个激励远加在什么样的网络上?在进行AC扫描的时候需要选择的是同层与参考层?还是继续使用vcc层与gnd层?

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg (62.23 KB, 下载次数: 22)

加的时候在5V那点一下,然后在旁边点一下,选择对应的层!!.jpg

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg (60.28 KB, 下载次数: 11)

我在5V网络上加几个S参数端口!.jpg

3.然后点那个扫描选择项!.jpg (80.21 KB, 下载次数: 5)

3.然后点那个扫描选择项!.jpg

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4.点ok进行计算.jpg

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6.我点谐振模仿真进行计算!.jpg (242.46 KB, 下载次数: 7)

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8.选择电源层与地层间的谐振仿真!.jpg (37.67 KB, 下载次数: 4)

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作者: mengzhuhao    时间: 2009-6-5 09:57
是不是可以这样理解:
! U! F8 P0 ^- |例如我在5V网络的各个端口处加上S参数探针(在加的时候,提示有个参考阻抗,这个地方我% F% Z# V5 V5 |7 l% F
应该如何填?默认是50欧姆。但是我发现即使填个0.01的时候也跟50的一样)
2 f% y: M% e9 U/ T这个时候出来的曲线是不是一般只需要关注Z曲线就够了
+ I0 ~' G& z& Q
+ g) {* ?/ S  r/ g从计算出来的Z曲线可以看出,在180mhz以下的时候阻抗一直都在1欧姆以上,在224mhz的地3 L2 ], L. c9 a
方出现一个最低值,然后从268mhz--421mhz之间阻抗一直保持在1欧姆,并呈上升趋势,在4
4 ~; ]( N7 |$ W* T" N21mhz的时候出现一个峰值47.5欧姆% ~8 L% C4 X% H3 i% k, Y0 b& i/ _

0 j2 \) e+ Y; T' r在裸板的谐振分析发现,不加探针的时候只有2个点,加上就出现3个点+ I, a) {! A2 D, U  M2 W. J
分别在505mhz,788mhz与1.132ghz那7 |/ s$ }3 j( `/ h6 D" a$ k. J

% Y3 {# P2 b6 |# c/ N那么实际的情况是:因为阻抗出现峰值的地方在谐振点之下,那么加对策的时候是不是这样
, o  S! T# L! C- J) L7 D) i) |; N的,看看505mhz的时候谐振区域在那,在看看加的那个S参数探针是不是在这个区域,如果
8 s: j$ J  V/ v# m; o3 @在就加上一组电容,既考虑505mhz之下的情况又考虑在505mhz时的情况, F( w, h. @$ Z1 R. w, m3 }! N
% M2 P! U3 x0 v/ U! r% g/ J
这样的理解对吗?
作者: forevercgh    时间: 2009-6-5 11:13
VNA测试S参数是的端接阻抗就是50ohm3 C* z1 t& W& q' c2 X8 _
S参数主要看下插损和回损,当然看Z曲线也行,S<==>Z 可以通过相互转换
作者: lpch8    时间: 2009-6-10 08:44
根据siwave的参考资料,至少需要给电容加载模型后才能进行谐振平面的仿真,因此,需要把你对应电源网络的电容的等效参数输入到器件中,这样你的谐振点才可能是准确的,否则滤波电容的谐振点以及对电源平面的去耦效应无从谈起了。个人意见!
作者: zhouweitf    时间: 2009-6-17 11:40
作谐振仿真应该加电容模型吧,要不所有的电容都是理想的,做出来的结果没有意义吧?
作者: taybi    时间: 2009-8-7 19:59
这个不懂,听大家继续讨论
作者: grant6168    时间: 2009-9-8 17:31
使用siwave出现下图所示问题,仿真菜单中只显示上面两项,其他都是灰色,哪位高手能帮忙解答一下,先谢谢了




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