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原帖由 alooha 于 2008-2-29 22:03 发表 ![]() ' D: w% A" G# R0 W" J/ d' C
什么是IBIS模型
7 P7 `2 u' ^0 t2 l) \: bIBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对I/O BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱 ...
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2 u8 R# t/ _+ L' r- k- s文章里面有些地方讲的不合适。' I/ M. u# I" M) y7 ]7 I A& f- A! s y
IBIS的曲线包括VT和VI曲线,其中VI曲线描述 buffer的静态特性或者驱动能力特性，VT是描述动态能力或者翻转特性。VT曲线必须和VI曲线做correlation,通常是通过所谓的50欧姆工作点来保证VT和VI曲线一致。另外，还有一个很重要的参数是C-compensation,描述buffer的等效电容。; z. t* x: H1 {
不同类型的buffer，IBIS有不同的VT和VI曲线个数。+ A% O0 ]) D" f' P
比如对于Input buffer，仅仅只有VI曲线；; b" d9 f1 \% i$ ]% _( M* C' d
对于IO buffer,需要4条VI曲线和4条VT曲线；
7 y( s( l% G5 {' m8 r5 U7 M还有其他类型的比如open sink, open source等等曲线有相对应的曲线个数。 |
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发表于 2008-2-29 22:03
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