维 数 | 类 型 ' m G. s: N9 Z" T4 k7 \ | 适 合 结 构 | 应 用 场 合 ( y9 h- r( { M& Z) @7 B | 特 点 ; Y0 T" j- Z r6 G7 J6 D |
2D * z6 Z0 v1 W2 O | 准静态 | 横截面在长度方向无变化 ( ?# j/ E: Y& a- ?9 u# J1 X! { | 传输线的RLGC低频建模 ' R0 I' n9 S8 `8 N; M% H | 不适应任意结构,高频精度低 & d; M8 b9 V! H6 M. C$ X/ s4 X! L |
2D | 全波 | 横截面在长度方向无变化 2 B: @2 o4 e5 ?; q2 P J% _) A | 传输线的RLGC全频建模 | 不适应任意结构 2 Z( J+ n* v# d0 ^* ?: R |
2.5D 6 Z; X* r& a6 n+ C8 Y3 p | 横电磁波TEM | 多层平面结构 7 y$ l/ y! f- B% [7 O | 电源地平面结构低频建模 | 当结构是3D时,带有寄生效应;当缺少参考面时,高频段结果不准 & r" U! _ @4 j |
2.5D | 全波,边界元法,矩量法 | 层叠结构 $ B q( r# h5 d& Y+ D | 某些片上无源结构,PCB | 对于边缘效应,3D金属和介质精确建模存在计算时间长,消耗内存大等问题 ; K/ x0 B2 ~& w7 j2 y( a& }: X' f9 p |
3D ; R W3 Q$ ?# Q! y" R4 H0 y* B | 准静态 | 低频 | 连接器和封装的低频建模 " N9 H0 J# K+ z+ L2 q | 高频误差大,趋肤效应误差大 |
3D 5 O/ y4 P/ S9 T: t | 全波 9 \& x6 R. |# t2 | | 理论上适合任意结构,只有计算机计算能力足够 & \" r- R+ r* O8 ^ | 芯片,封装,电路板,射频微波器件,天线 | 计算时间长,消耗内存大 $ k+ ?# x/ R( G5 w; ?- g" F: ?一般建议16G内存以上 Y6 j" e1 k+ z) W6 n' L |
维数 2 g) J6 R: l+ b. L | 适用范围 | 举例 | 局限性 |
2D | 求解在XYZ方向有变化的几何结构 | 无限长传输线横截面 ( k8 |1 F+ o0 Q, O' D6 { | 不能求解Z方向过孔 * w' _( c' C" A |
2.5D | 可以解决在3个维度都有变化的结构,但其中一个维度严格限制 | 多层介质结构,PCB | 可求解过孔,但Z方向不能有几何结构变化 7 A# j8 G% {* d8 z6 y8 E |
3D | 可以解决在3个维度任意变化结构 ! m p" A- J. V* H# c y | 任意结构,比如微波射频器件,Bondwire ! f0 E: m7 R3 ]% l* t: B | 耗内存和时间,模型太大或设置不当会造成不收敛 + a* `+ q# j; B" w |
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