国产半导体最后一块缺失的版图！紫光、中芯国际发力内存/SSD芯片

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虽然在西方投资者眼中，半导体产业已是糟糕的生意，但中国芯片企业因为发展较慢，资本市场仍旧努力推动着前进的步伐，包括在背后做支撑的“国家集成电路产业投资基金”。
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& d# W. k6 O1 o有数据显示，全球半导体市场规模达3200亿美元，全球54%的芯片都出口到中国，但国产芯片的市场份额只占10%，中国每年进口芯片的金额甚至超过了石油。
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除了处理器芯片，存储芯片更是我们极为缺失的一部分，迄今，武汉新芯（XMC）是目前唯一生产内存的内地晶圆代工厂。中芯国际(SMIC)早期也生产内存，不过最后还是不得不封存该亏损的事业，可以说DRAM是内地半导体最后一块缺失的版图。
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紫光的雄心



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) G# ~4 _; m5 h1 ^  K% I+ B/ I紫光从2015年开始就希望借助最直接有效的投资、入股、并购等方式提升中国企业在世界半导体行业的话语权，董事长赵伟国解释“如果现在从头开始搞基础技术研发和孵化，一是所需时间过于漫长，与市场的快速发展不符；二是芯片国际巨头过于强大，我们很容易在创新初期就被巨头挤垮。因此，最好方式就是自主创新+国际并购。利用国际并购先让自己强大起来，有了平等的话语权后，再与国际巨头在股权合作的基础上搞自主创新，这样会容易很多。”
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' ]% o4 o6 x' D) s$ C1 U然而遗憾的是，并购美光、入股西数、进军台湾封测均没有达到预期成果，遭遇事实上的技术封锁。


: a, Q6 Y% |, D4 k# H7 T& F上周日，紫光投资300亿美元（约合人民币2063亿人民币）的南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式宣布开工。
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据悉，该基地的主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，用于智能手机和其他设备，占地面积1500亩。

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9 I9 t+ w; X+ f% X. r去年7月，紫光还参与了长江存储科技有限责任公司的投资，后者是总投资1600亿元、主力3D NAND的国家存储器项目。
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* j8 f" Y! x3 k; k这样一来，一波国字号的内存、SSD将在不久的将来和广大消费者见面。
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) u% T1 \. {* U- `0 L3 a# w5 f中芯国际所做的
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! q9 E7 \8 f& E5 f$ m上海中芯国际最为大家熟知的业务是晶圆代工，目前最成熟的制程是40nm CMOS、28nm HKG，已经用于高通骁龙芯片、华为海思、展讯等，另外，14nm也在紧张推进中。


  t0 N& X2 N  v* g; q0 y另一个振奋人心的消息是，中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也已经正式投入生产！
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# {; A  o) ~% i4 `Crossbar公司成立于2010年，拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投，2016年3月宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场，中芯国际将采用自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片。
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; f+ j' q# |& D, VReRAM代表电阻式RAM，是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术，关闭电源后仍能保存数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。


ReRAM的名字中虽然带有RAM，但机制和用途其实更像NAND闪存，主要用作数据存储。
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ReRAM的性能十分彪悍，号称存储密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

$ Y. C3 o0 |" `- s与传统的NAND闪存相比，ReRAM速度快的多，位元可修改，并且所需电压更低，这都使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。


而且不同于NAND闪存对于更新工艺的不适应，ReRAM的扩展性更好，远景可以做到5nm。


另外，更先进的28nm ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。
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& M% Y! a+ \2 R# \7 ]3 ~3 I展望


# F- f( f7 N5 `虽然芯片和半导体不是一蹴而就的事业，我国和以美国、日本、韩国等为代表的顶尖厂商的差距也不可能在很短的时间内弥合，然而中国集成电路要实现跨越式发展，必须结合来自于资本市场外部力量的推动实现自主研发和拿来我用两条腿走路。