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标题: MOSFET导通时g极电流问题 [打印本页]
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-19 15:41
标题: MOSFET导通时g极电流问题
MOSFET是电压控制型器件，大家一般都关注其导通时的门槛电压，不知道有没有大侠关注过MOSFET在导通的瞬间g极的电流的大小多少才合适？个人认为这个电流的大小应该对MOSFET的使用性能和寿命有所影响。哪位大侠进来指教指教啊！
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-19 16:27
大家来发表自己的看法呀！
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-20 08:21
没有人知道吗？
作者: liqiangln    时间: 2009-2-20 12:13
3# zhouweitf ! D/ N1 \4 c' T. `
这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-23 12:55
3# zhouweitf  
3 k# J7 F$ g! P* o3 x# g6 q这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。
/ J' x2 p. B. Q" V7 Nliqiangln 发表于 2009-2-20 12:13
# E. |( Z6 i4 t! h: k9 C9 {
我看大家一般都是串个100欧姆的电阻，这个电阻的大小是怎么选定的呢？
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-23 12:57
谢谢liqiangln 版主，再进来指教指教吧！
作者: gs_mold    时间: 2009-2-23 17:17
3# zhouweitf  
9 k% @. P2 j+ W- d& t$ T- w这个电流是比较小的，一般10mA以内，MOS管主要是电压控制型的，所以通常这个G还会穿个电阻，来防止ESD。6 e; j% Q0 ?8 o* h: a( Y5 _
liqiangln 发表于 2009-2-20 12:13

% I0 U! Z5 F8 E, f要不了10MA。几个UA就可以了。
作者: zhouweitf    时间: 2009-2-24 08:50
一般推荐多大的电流呢？或者说一般推荐的限流电阻多大呢？有什么依据？
作者: kxw102    时间: 2009-2-26 05:47
那得根据Datasheet上的Cgs这个电容来决定。
作者: guyun236    时间: 2009-2-26 12:31
理论上是这样的，但是前段时间我给2N7002 gate用4.7k电阻上拉，只能拉到2.6v左右，后来没办法，只能用fpga的io来拉到3.3电源上，一直想不明白？！
作者: liqiangln    时间: 2009-2-26 20:29
电压驱动，就是说MOSFET的输入阻抗很大，才能得到更多的输入电压，你上拉4.7K，并且MOSFET的输入内阻也是K级的，说明你的4.7K得到很多电压，这就是你只能得到2.6V左右的原因。
+ n1 X4 m! v& {1 aFPGA的输出阻抗很低，一班就是20欧姆，说以G级可以到3.3V，一半窜10欧姆的就可以了。有的时候还会对地下拉一个10K的电组，是用来泄放电流的，在G级从高变低的时候（PWM是占空比）。
作者: newone    时间: 2009-3-7 11:38
确实是这样的
作者: shuhen    时间: 2009-8-9 12:05
我一帮用MCU隔离后放大驱动MOSFET
作者: maxwellping    时间: 2009-8-10 11:29
理论上是这样的，但是前段时间我给2N7002 gate用4.7k电阻上拉，只能拉到2.6v左右，后来没办法，只能用fpga的io来拉到3.3电源上，一直想不明白？！
  K; G0 P- H/ L* u  l3 e: A  M( oguyun236 发表于 2009-2-26 12:31
5 J% W/ j1 H9 e8 Y& U4 _. S+ v* H
; Y: L  D# o$ p
没看明白。4.7k拉到2.6V是什么意思？ 2n7002的Vgs(th)电压较高3V左右。
作者: maxwellping    时间: 2009-8-10 11:38
电压驱动，就是说MOSFET的输入阻抗很大，才能得到更多的输入电压，你上拉4.7K，并且MOSFET的输入内阻也是K级的，说明你的4.7K得到很多电压，这就是你只能得到2.6V左右的原因。2 ]: _, B7 r! [1 n3 n/ R
FPGA的输出阻抗很低，一班就是20欧姆， ...
5 c2 F8 s0 T8 T. @/ I6 Z7 Vliqiangln 发表于 2009-2-26 20:29
6 s3 l' l# r$ \- p- ^1 R
# x# \# b6 n' e. ]; p
MOS的GS电阻肯定不是K级的，如下Vishay 2n7002k 的GS端带TVS功能的 Igss电流才只有10uA，要是4.7K电阻分压较大，那么说明这个MOS的GS已经击穿坏掉了，2N7002是我碰到的ESD良率最低的MOS了$ w2 b  i% ?# K4 a
作者: ykwym    时间: 2009-8-13 21:23
一般推荐为4.7OHM
作者: bk1688888    时间: 2009-8-16 15:42
大家好，一起来谈谈无线产品的经验吧！
作者: bk1688888    时间: 2009-8-16 15:44
无线点读产品有朋友做过吗？QQ844362514，如有请多多指教。
作者: yangcanhui07    时间: 2009-8-20 10:51
上拉4.7K都有问题,应该是坏了.1 w" T+ @  g0 b& b) T( m
没用过这个型号,看楼上的贴图,这个管子不适合用在功率电路上,只能用做小信号电平翻转
作者: hanscody    时间: 2009-8-24 14:18
我用过9435A,上拉用10K,批量很多了.
作者: wymei1204    时间: 2009-9-6 22:09
电压型的  不必管 对寿命没有影响
作者: huangzhezhi    时间: 2009-9-14 08:59
栅电容Cg很小，瞬间电流I 太大的话，导致电量Q （Q=It）比较大 ，根据u=Q/c，将击穿栅电容。
作者: haip    时间: 2009-10-24 21:23
学习了，呵呵
作者: zhangzhng09    时间: 2009-11-24 16:09
这里还是看到了几个高手
作者: ccg1117    时间: 2009-12-9 09:16
领教了
作者: xooo    时间: 2009-12-16 22:03
不错的了,受用...
作者: ziyun121    时间: 2011-1-24 16:42
bu dong
作者: kully    时间: 2011-1-26 08:36
当MOSFET不用于高速开关的时候，可以说其gata不消耗电流，投射一个电场即可控制开启。当用于switch的时候，就需要根据频率和gate极电容，来设计驱动器的规格。像LS说的gate串联电阻其实是为了降低gate的峰值驱动电流，不是为了保护Gate而是Driver提供那么大的电流，因为不加串联的R，栅极的C相当于一个很大的重负载，有些Driver无法驱动。( e% O  x4 x2 t* x: O. g& j
而且Gate的输入电容不等于Ciss，而是需要根据Qg来换算（一般比Ciss大一个数量级）。
$ d9 }1 N3 b8 J, qE:\gate charge.jpg
9 J1 F; T" o5 h9 K* D另外也没有所谓的保护降低Gate电流保护MOS的说法，MOS是考虑DS端的，一般都能抗一次击穿，二次击穿就真挂了。



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