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标题: FLASH被异常改写的问题分享 [打印本页]
作者: stm32f103zet6 时间: 2018-6-17 18:22
标题: FLASH被异常改写的问题分享
stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样' H* O' ~1 |2 K
它们的共同点：
) v& v5 s4 H ^3 n1，统一排地址：但地址不一样
7 v; M2 F2 Q/ I) H9 a: x/ s2 ^ F2，编程方法和的函数一样
9 `6 v f. @% ?# p, L' X. m* b1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写 {# s4 b/ L1 {5 `' A
2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
* b- N! x7 C$ `+ M5 l其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；& G# k" j7 q4 \
3，HAL_FLASH_Lock();锁住写 E3 e# Z5 T% s
3，擦出方法和函数一样
- B6 j: f) k7 K4 ^2 w1 BHAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)# z* y+ m) }; {& ^; a+ p- n
4，读方法和函数一样
1 h9 v( t# ?) T0 j8 z8 T4 b5 sRead_eeprom_int32(uint16_t addr)4 N) F- a- F) I1 Z
不同点：
/ o8 o$ [% t/ m2 \) T7 l( L- m地址不一样：
3 w4 ?6 d ~1 q5 E/ s2 v/ DEEPROM：0x08080000开始的2K字节6 T1 j) ?5 a/ z$ p' ?
FLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。
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