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标题: MOSFET管抗静电击穿能力。 [打印本页]

作者: 六画玄辉 时间: 2018-3-13 15:15
标题: MOSFET管抗静电击穿能力。
请教下，我用APEC的MOS管，经常出现MOS管不知不觉就损坏的，我怀疑是被静电击穿，现在我想更换，不知道哪个参数决定着MOS管的抗静电击穿能力

作者: Aubrey 时间: 2018-3-13 16:32
什么型号？设计上是否合理、能否上图？

作者: 深圳—allegro 时间: 2018-3-13 20:01
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作者: 超級狗 时间: 2018-3-13 22:36
本帖最后由超級狗于 2018-3-13 22:38 编辑

Aubrey 发表于 2018-3-13 16:321 M9 t+ d/ H) W9 d2 c
什么型号？设计上是否合理、能否上图？

他是「合理」的懷疑！（簡稱「莫須有」）

作者: 无聊搞飞机 时间: 2018-3-14 09:56
看手册

作者: 灰狼 时间: 2018-3-14 10:01
在你怀疑的点加ESD试试

作者: jkokomo 时间: 2018-3-14 23:30
會是inrush current的關係嗎？

作者: lingnanhu 时间: 2018-3-15 09:12
看手册，估计是你的设计问题，特别是VGS，很多人设计都是把G极直接拉到0V 通断。这样在控制高电压时候，很容易造成VGS超过规格书要求造成损坏！

作者: 深圳—allegro 时间: 2018-3-15 18:35
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作者: xiaojiguohe 时间: 2018-3-16 10:52
看看学习下

作者: zhangqing 时间: 2018-3-16 11:42
学习来了

作者: yuantao135 时间: 2018-3-23 11:03
学习一下

作者: alienware 时间: 2018-5-6 12:26
PN结击穿

作者: 上海轻骑兵 时间: 2018-5-18 17:21

受益匪浅!!!

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