EDA365电子工程师网

标题: 为什么P沟道MOS的VDS电压做不大 [打印本页]

作者: wangliliang 时间: 2017-9-15 17:49
标题: 为什么P沟道MOS的VDS电压做不大
请教为什么P沟道MOS管的VDS做不大。N沟道的MOS VDS可以做到几百V甚至1000V，P沟道的MOS的VDS通常在100V以内。是内部什么构造影响VDS的值差距很大。

作者: 松哥无敌 时间: 2017-9-17 09:59
强烈关注这个问题

作者: Aubrey 时间: 2017-9-17 22:49

http://www.360doc.com/content/16/0902/13/35356821_587762820.shtml

高压PMOS也有见过

作者: Aubrey 时间: 2017-9-18 10:39
在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的宽长比设的更大一些，才能达到要求，这也就解释了同样面积的沟道，NMOS的导通内阻更低，工艺上做起来更容易，成本也更低小，PMOS较低的电流驱动能力,工作速度比NMOS要慢。
厚度会影响降低击穿电压值，同样体积，PMOS比NMOS厚度大耐压值低。

作者: Pang8343569 时间: 2017-9-18 10:47
围观

作者: 超級狗 时间: 2017-9-18 13:01
本帖最后由超級狗于 2017-9-18 17:58 编辑

Aubrey 发表于 2017-9-18 10:392 Y: [9 h5 z5 k6 s
在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的 ...

小弟只能做錦上添花的工作！

由於電子（Electron）的移動率（Mobility）比電洞（Hole）高，因此對於降低電阻，n 型雜質（n-Type Impurity）的效果會比 p 型雜質（p-Type Impurity）來得好。

然而提高雜質濃度（Impurity Concentration），並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到，當雜質濃度（Impurity Concentration）超過極限後，過多的載子（Carrier）移動時發生嚴重碰撞，反而會使移動率（Mobility）下降，這時半導體的電阻不減反增。

若要維持同樣的阻值，所需要的 p 型雜質（p-Type Impurity ）濃度會比 n 型雜質（n-Type Impurity）濃度高很多。因此使用 p 型雜質（p-Type Impurity），會比 n 型雜質（n-Type Impurity）更容易達到飽和濃度。

P Channel MOSFET 並不是做不到耐 V[sub]DS[/sub] 高壓的規格，而是做出來的 R[sub]DS(on)[/sub] 會讓你不想去用它。R[sub]DS(on)[/sub] 過高，除了功率損耗（Power Loss）大之外，也讓半導體更容易發熱，壽命跟著縮短。

Carrirer Mobility.jpg (56.93 KB, 下载次数: 0)

作者: dqwuf2008 时间: 2017-9-18 13:19
MARK

作者: Aubrey 时间: 2018-4-7 09:29

为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf (1.19 MB, 下载次数: 0)

欢迎光临 EDA365电子工程师网 (http://bbs.elecnest.cn/)