EDA365电子工程师网

标题: P-MOS损坏求救 [打印本页]

---

作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 08:22
标题: P-MOS损坏求救
小弟请教知位大神
原理图如图所示。
: c4 M. j7 e+ f8 i' h7 m  W$ ]" x电路使用情况是这样，板子有俩路工作电源。一路是12V，另一路是100V，在测试的时候发现，如果在没有加截12V电源的时候，另外100V电源在供电，D703会有漏电到Q701.有时Q701会损坏，板子工作的时候Q702控制为高电平已导通。
请教各位大神，如果将R711  1K电阻改为0欧是否会好点。方法二，将P-MOS管Q701  D  S极并一个10K左右电阻。
麻烦大家看看是怎么回事。

100V.png (43.96 KB, 下载次数: 10)

下载附件  保存到相册

2017-2-24 08:22 上传

---

作者: ksvhxd    时间: 2017-2-24 09:11
本人拙见，没有12V的情况下，100V漏过来的电压会使Q701的SG电压大大超过20V极限电压而损坏，你可试试在R710上并一支12V的稳压二极管。

---

作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 10:08
MOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，
) N5 ?: F4 _  \- \7 W! Z+ q: N- O. n请看D703的规格书
5 x: U$ j4 y! q1 C8 i& X另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R710是100K, MOS管，Q701一上电100V就烧坏，现在改为R710改为10K已经好很多了，但长时间工作还是有损坏的现像。

100_2.png (82.27 KB, 下载次数: 0)

下载附件  保存到相册

2017-2-24 10:08 上传

---

作者: 超級狗    时间: 2017-2-24 11:19
二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？
, }$ Q! M0 ^( f+ A8 Y
4 M" u7 R  l" S) J/ {, g6 ~3 t是什麼樣的 100V？AC 還是 DC？

% z* i; q# @. R, f2 v4 R1 U如果是 AC  整流成 DC，是怎麼做的？
  R5 S/ |* U7 ?  Q

---

作者: hagelee    时间: 2017-2-24 11:49
说一下的我的看法,如果有不对的地方,请大家指正.
二极管在12V断电的时候是反向的，由于阳极处于悬空状态，没有嵌位，所以100V可以传到MOS管的D端；MOS管的资料上有个指标 VDS最大100V，开机瞬间100V如果有个毛刺或者过充很容易导致MOS管子烧坏。
% N8 q. d3 @  `4 ?( H+ q

---

作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 13:36

超級狗 发表于 2017-2-24 11:19
二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？
; @  Y2 O4 f2 d0 C
8 A" r0 Z% [; Y: }+ n是什麼樣的 100V？AC 還是 DC ...

0 I4 \0 l( W% B! h/ T100V供电，实际使用电源只有90V。这个12V,及100V供电都是指的是直流

---

作者: bbw2131489    时间: 2017-2-27 09:29

tdjfnwxf 发表于 2017-2-24 10:08
6 r4 C  G' p  V, P9 s" F2 @7 hMOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，
7 f% N, P% t$ T. s9 x8 e3 N- n请看D703的规格书
另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R71 ...

# Z7 M0 t# X0 G8 S/ ^9 s3 p/ |4 B; ]从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬间的波形。另外R701可以并一颗小电容看看有没有效果
- O5 w2 b0 v, G: A' {

---

作者: djadfas    时间: 2017-2-27 10:08
至少得说说用法 12V没用如果悬空 并没啥关系啊

---

作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-27 10:43

bbw2131489 发表于 2017-2-27 09:29
  \( Q  X; j* v  U  h1 Y- h. B从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬 ...

" K8 z6 h3 Z- J; x4 D- y- K感谢回复，我试试
7 Z4 @# x( H9 y5 O  d) i

---

作者: ksvhxd    时间: 2017-2-27 11:22
mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对MOS管造成影响。但12V悬空，100V电源由二极管漏过来的电流在R710得到一个较高的电压。如果超过20V就有可能损坏P-MOS。改变R710的阻值，也可改变R710上的电压，有一定的效果，但解决不了根本问题。所以常规办法一是在源栅加稳压二极管限压，二是在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流。

---

作者: tdjfnwxf    时间: 2017-3-27 18:28

ksvhxd 发表于 2017-2-27 11:22
' m9 s; o9 L+ u$ c/ s9 jmos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对M ...

你好，请问一下，如果在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流，这个电阻选多大比较合适，电阻选的太小会导致机器12V供电时机器工作电流增加，如果电阻值选大会不会又起不到很大工作呢。

---

欢迎光临 EDA365电子工程师网 (http://bbs.elecnest.cn/)

Powered by Discuz! X3.2