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标题: 欲用PMOS做开关及控制时序, 可惜,时序没有按套路来? [打印本页]

作者: Quantum_    时间: 2017-1-6 19:48
标题: 欲用PMOS做开关及控制时序, 可惜,时序没有按套路来?
1. 如题, 想用AP2305GN, 做一个开关, 同时, 用RC控制时序。 让5V先起来, W. m! ]7 E! M. z
2. 原理图如图1% {8 J3 t& [' {; a  ?
3. 实测结果(如图2), 12v先于5v 起来(1ms)
$ z+ x7 u* G# R4. 问题出在哪呢?
( K& ?" p$ \' i  n) i注: 标签1(+5VS),2(P12V)分别探测Q6.G, Q18.G& i* `& `' [* ~5 o
+ |, j2 g$ u4 u7 u

: W) i+ L0 I% Y! ^8 B5 h谢谢!

AP2395GN.png (127.83 KB, 下载次数: 8)

Schematic

Schematic

tek00047.png (13.35 KB, 下载次数: 0)

WaveForm

WaveForm

作者: fallen    时间: 2017-1-7 00:02
你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致开启时间不一样呢?因为从12V降低VTH和从5V降低VTH的时间不一样,为何?这个就从RC的冲激响应说起了:当三极管导通后,VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC)--------这个是以5V那个MOS管来计算的。可在EXCEL表格里面计算,你看下哪个会先到VTH。
作者: Quantum_    时间: 2017-1-7 20:41
fallen 发表于 2017-1-7 00:02
$ Y/ g; F3 B: ?' X9 F  b/ v4 W: |你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致 ...
% X" F! M5 `3 i' d
谢谢! Fallen2 y$ u/ P& X, p6 i% C0 g8 V
1. 一针见血。
8 C; c) J1 k$ Z, l1 h& \2. VG=(VCC*R132)/(R132+R23) +[ (VCC*R23)/(R132+R23)]*e^(-t/RC) 这个公式的计算结果,基本符合实测结果。 注:  AP2305GN 的 Vgs(th)= -0.5
: P+ V3 f& ]! h& r8 C& \    **Fallen的电路课, 很是强大。 哪毕业的?
3 j& K8 e$ r3 F) Z3. Solution:把串联的电阻(12v)改成470K, 时间t就会从0.5ms delay  to be  5ms. 达到5V先开启的目的。 + a" T1 A. q4 u) [7 u

. \/ }+ ?- ^  x另外, 为何三极管前端的RC 没有Delay效果(成功)? RC 的数量极太小?
/ [5 P4 r* F. n
, h6 w+ b' A" ~( N1 g+ {
作者: fallen    时间: 2017-1-8 20:38
数量级别太小,另外三极管的开启电压只有0.6V左右,也太小了,调节这里效果不明显
作者: djadfas    时间: 2017-1-9 09:43
5V控12V 吧  三极管be0.几v   5V的vgs分压尽量大 最好直接对GND
作者: zdfgh154    时间: 2017-1-10 18:06
HDD的电源设计 对时序有要求吗?先前设计都木有注意呀,同时给的呀。。。
作者: Quantum_    时间: 2017-1-11 19:08
zdfgh154 发表于 2017-1-10 18:06, w3 u2 _8 D' l
HDD的电源设计 对时序有要求吗?先前设计都木有注意呀,同时给的呀。。。
5 A7 v# Q; x3 Z
1. HDD上电时序不是工业规范。
2 e1 U! S* S) {2 E$ Y- K* ~% c; Y2. 但是, 某些项目, 应该环境比较特殊。
9 S  B% A9 S2 a  S7 }$ l3. 我这个项目就是, 我的客人,在PRD里明确描述, 需要5V ready 以后, 12V再来.  % E" O8 z1 K# l8 v8 h; ?( d

8 B, I2 x& o% L& v; {: X1 q6 E, ~& ^( R( k

作者: wudi20060501    时间: 2017-1-12 14:25
很好的一个贴。
作者: yhg-cad    时间: 2017-1-24 23:37
很好的贴子
作者: AD9_PCB    时间: 2017-2-14 11:33
这个是什么软件仿真的啊
作者: xtaylg    时间: 2017-2-14 17:03
为什么要这样设计呢?5V起来,再去控制12V不就行了?
作者: xtaylg    时间: 2017-2-14 17:03
为什么要这样设计呢?5V起来,再去控制12V不就行了?
作者: cvntao    时间: 2017-2-23 10:00
fallen 发表于 2017-1-7 00:024 i1 ~( {3 D  ]5 ~- Q
你的问题出在MOS管开关哪里,GS并联的电容C与三极管集电极串联的R参数一样导致的,那为什么参数一样会导致 ...

  \% Z0 \3 C( u! @! W6 j- ^+ ^大神,我想问一下 R132的作用是什么,去掉是不是也OK呢  W7 C) z- {1 ~8 E+ D/ {2 }( Q

作者: fallen    时间: 2017-2-23 23:25
cvntao 发表于 2017-2-23 10:003 M! D- R4 D- v5 |' ^
大神,我想问一下 R132的作用是什么,去掉是不是也OK呢
; J, \2 D3 K1 _3 e1 G* r7 i+ r
R132不能去,否则只靠GS并联的电容无法调节到理想状态。
7 g% w( m" |* w+ R$ E. n' a, ^




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