EDA365电子工程师网

标题: 请教jacklee_47pn版主仿真问题：MOS管不能关闭 [打印本页]
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-9 15:03
标题: 请教jacklee_47pn版主仿真问题：MOS管不能关闭
本帖最后由 chenlinfeng88 于 2016-8-9 15:14 编辑
/ ^0 Z" v6 d# T6 Z0 H, L
' R2 Z/ p5 B% n& P7 i请教一下：# q: O' a& }+ n6 ^1 a3 m. [
              本人在仿真过程中发现（不仅仅是本次），PMOS管的D极和G极电压一样大，MOS管无法关断。
3 F3 c: N$ J+ N7 V5 ?4 }; G% p8 e如下原理图中，理论上如果Q9的G极被拉低，出现Vgs<Vth时，PMOS就会关断，但是为什么仿真的时候不能关断呢？
. g% W  }2 I) L9 g6 S5 c求教。
% x5 o, h3 k6 r- h9 [5 V/ ~% Z
0 @  Y* S5 s: T0 p- ~* o, d) Z; q; z) o( G

1.jpg (7.79 KB, 下载次数: 0)

G和S引脚接一起，MOS管自动开启

G和S引脚接一起，MOS管自动开启

2.jpg (8.34 KB, 下载次数: 0)

图1对应的仿真波形

图1对应的仿真波形

3.jpg (8.9 KB, 下载次数: 0)

G通过10K接地,任然不能关闭

G通过10K接地,任然不能关闭

4.jpg (8.46 KB, 下载次数: 0)

仿真波形

仿真波形
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-9 15:47
无论怎么折腾，这个PMOS仿真出来的波形就是不能关断。
作者: jacklee_47pn    时间: 2016-8-10 09:28
可能是選用的零件造成的問題，或是 Pspice 版本的問題。* x  q" k' m6 g5 x
如果是選用的零件造成的問題，請換不同零件庫裡的元件(或使用自己建立的元件)。
  e4 u: \( z  f# |; M- N如果是 Pspice 版本的問題，請更換 Pspice 版本或是安裝最新的HOTFIX。
. s/ ?; G& u7 e) D: \, P- w" q
- M( y# ^) p! m5 @" G. F, ]我做的仿真沒有問題啊！?  請看圖片
作者: HengliangYau    时间: 2016-8-10 09:40
是不是仿真模型的问题？4 v/ q1 M/ Q( T9 A5 o6 w- ~
/ i9 I- q4 K) r( z! ~$ g

1png.png (21.48 KB, 下载次数: 0)

原理

原理

2.png (15.67 KB, 下载次数: 0)

输出结果

输出结果
作者: jacklee_47pn    时间: 2016-8-10 09:47
換個 PSPICE 自帶元件來訪真。

new pmos 1.PNG (12.04 KB, 下载次数: 0)

new pmos 1.PNG

new pmos 2.PNG (29.51 KB, 下载次数: 0)

new pmos 2.PNG
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-10 10:53
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 09:47
! X" ~( L8 u3 o! s! |; Y) o" z% I換個 PSPICE 自帶元件來訪真。
& p1 \3 a" _+ s) h0 l
版主，可以把你的pspice仿真模型发给我用一下吗？我用的系统库里面的发现不行。。。1 q  S/ W6 u+ l) R4 S( _' m
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-10 12:13
HengliangYau 发表于 2016-8-10 09:40) `% N6 h! R# |  p
是不是仿真模型的问题？
5 m  ]& M# L! \2 B+ Y
有可能，能不能把你的MOS管波模型发给我用下，814753869.非常感谢！3 P9 b- O3 E6 q2 m; V% O( C6 g
作者: HengliangYau    时间: 2016-8-10 13:48
chenlinfeng88 发表于 2016-8-10 12:13
6 G: \- z- K: N  U7 {有可能，能不能把你的MOS管波模型发给我用下，814753869.非常感谢！
8 ], I/ X) N5 O) _) B9 y
我随便在库里找的pMos。9 X% J9 e! t, a, I* `/ Q% t
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-10 14:30
HengliangYau 发表于 2016-8-10 13:48
% c) u7 C' _7 p我随便在库里找的pMos。
; \5 j5 ~+ K4 U# z9 Y3 n
好的，我再多找几个PMOS试试，非常感谢~
' S0 c: b1 J0 U
作者: jacklee_47pn    时间: 2016-8-10 14:39
SI2305 是網路上抓到的。附上我系統上的仿真庫。

Pwrmos.rar

83.71 KB, 阅读权限: 9, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

作者: jacklee_47pn    时间: 2016-8-10 14:55
Si2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。! b7 F( `/ i0 o2 p

8 X8 B% U/ t3 Y" |9 [  i8 i& |*//////////////////////////////////////////////*
$ h  t. A) o% n5 `! p8 C.SUBCKT Si2305DS 4 1 2
" N2 T( F8 b& K3 |: ]) Y6 X.
: y) J# \0 m. _( C' v* f% _3 r5 q7 Y& f.6 I! Y0 D+ j) f; v4 K( y
.: g" f4 Y# u+ S8 v
.
9 T" n' Z% e4 m! Z: Z0 h.
! E7 x% y5 L! T1 _4 h.2 t  ]7 Y( x# u- G
.MODEL RTEMP RES (TC1=3.5E-3   TC2=5.5E-6)0 z& w6 K& q, n$ J" c
*************************************************************************" S  n5 S6 F/ j" a
.ENDS
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-15 14:18
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55
( g+ ]3 @1 ~& g9 ^" g& R/ cSi2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。! {; z2 H! G5 d( i! h7 H

4 a- S5 _1 Y4 i+ e0 `*////////////////////// ...

2 s' n9 s0 u) l' m7 s: v3 P; N6 w& b版主，多谢了( n' k" t2 H, x9 q: `; x2 ]( y
作者: chenlinfeng88    时间: 2016-8-15 14:55
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 14:55
* h1 J3 ~0 e) G9 VSi2305SD 在  http://www.analoglab.com/library/mydevice.lib 裡面有一段源。
0 l0 _1 d! I; G8 S! E2 Y2 [! |6 F' b3 d/ N
*////////////////////// ...

/ W- V# c/ K; S, t# w1 K) a. D版主，再请教一下，有没有模型里面的各个参数介绍啊？& ]) M' d# J+ `) H; T- ~3 l. p

4 I; M: I; Y8 ?2 r*p-MOSFET*50V 1100mA 0.8 Ohm*Add_in_Line* X* u+ [$ Y% t' P  O4 X  A3 E
.SUBCKT BSP315/INF 1 2 3; G7 _9 k6 r% F8 K$ y4 c& i
LS 5 2 7N* X+ A3 I) q- J' u
LD 102 3 5N) a  M* u/ I9 @' s6 X; u5 _
RG 4 95 5.5M9 y6 O/ [; |% h. z2 I3 _
RS 5 76 252M* f0 X1 r- a- k' ?  p- [
D315 102 76 DREV
* l9 V7 Z* q- f.MODEL DREV D CJO=300P RS=20M TT=100N IS=300P BV=506 L3 h6 E7 x6 C) @/ ], \2 {
M315 102 95 76 76 MBUZ  o! T' v( t* [7 ^6 c4 e" N' y7 D
.MODEL MBUZ PMOS  VTO=-1.246 KP=0.37/ x+ R0 u: ~* C+ J9 O9 S8 N
M2 11 102 8 8 MSW& ^6 x0 P! v; n; Q: W9 d
.MODEL MSW PMOS VTO=-0.001 KP=5- t- D( n% y* w% p3 }+ O
M3 102 11 8 8 MSW
5 {4 y- H" L) F0 u2 JCOX 11 8 180P) ^$ t+ g/ O; Y6 n( p
DGD 102 8 DCGD) {, B# z- M, [- ^( j
.MODEL DCGD D CJO=527P M=0.605 VJ=0.913
2 J! ]. b- A" ?9 O: `3 V  x' RCGS 76 95 215P
" y! S& n8 V# I7 ^) B" D5 O+ kVGC 11 95 -20( v% ]: \+ S/ {+ K
* BESCHREIBT EINE IMPLANTIERTE LADUNG (VERSCHIEBT DIE EINSATZSPANNUNG)' Q$ [% V5 b: A( Y9 J
LG 4 1 7N
1 r4 o  T1 F( t" Z0 h1 b5 h.ENDS
/ {) a) v$ }" [4 N7 K! `
作者: muyidou    时间: 2016-8-23 20:27
jacklee_47pn 发表于 2016-8-10 09:47
6 H8 E7 i; }4 e9 g7 V  H' t' i. `, ^換個 PSPICE 自帶元件來訪真。

2 i& G4 d1 H7 h" I" ` 为什么 绿色波形高电平是10v, 红色波形的高电平确实0v?
$ Q$ k$ O  E/ U
作者: jacklee_47pn    时间: 2016-8-23 20:40
muyidou 发表于 2016-8-23 20:27. U6 Y, }0 w) F' g7 r
为什么 绿色波形高电平是10v, 红色波形的高电平确实0v?

8 x+ Q; K7 o2 U4 X) o0 W0 v9 l(1)PMOS 在電子學及規格書上都說 VGS 為負電壓導通(輸出負電壓)，所以 VGS 為正電壓的時候就不導通(沒有輸出，即是0V)。就是要看參考點GND是在那兒。
: T1 B7 ]  H+ r* r3 P(2)此電路是防反電路，所以仿真的時候我的輸入都是正負變化的電源。9 {8 m. B: f% {" ~: ?
(3)通常防反電路 PMOS 用在 GND 端(或是負壓端)，就是負電壓導通。NMOS 用在正電壓端，正電壓導通。
& [- x9 I. W/ L: t) w: {" g
作者: muyidou    时间: 2016-8-23 21:55
jacklee_47pn 发表于 2016-8-23 20:40+ y: v$ a. g7 K0 t4 \
(1)PMOS 在電子學及規格書上都說 VGS 為負電壓導通(輸出負電壓)，所以 VGS 為正電壓的時候就不導通(沒有 ...
0 v/ P% |2 F, Q
版主，从波形看，1、当电源为10v直流电时，v(R1)无输出； 说明mos是关断;- I" n/ p  _0 u: U
                             2、当电源为-10v（即反接），负载两端电压为-8v左右；
2 f& c4 c, [9 q& |  问题：  1、电路如何起到防止反接作用呢？
( w% v1 \& W+ \  l9 D8 H9 M               2、 g级与s级是串联在一起，如何能导通导通关断？% b5 i. y( A. C: @9 n. W
请版主指点。
% Y1 R2 t, B; m  v! b
作者: liangjiatian    时间: 2016-8-27 10:02
你把负载改小 应该就可以了



欢迎光临 EDA365电子工程师网 (http://bbs.elecnest.cn/) Powered by Discuz! X3.2