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标题: 求教——PDN阻抗防抗仿真与IR_Drop的区别? [打印本页]

作者: clovep    时间: 2016-6-28 14:30
标题: 求教——PDN阻抗防抗仿真与IR_Drop的区别?
PDN阻抗防抗仿真,主要针对频域,目标是使在电压波动在芯片工作时维持在2%-5%内。
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IR_Drop主要针对直流,通过仿真了解直流压降。目标也是使电压压降在2%-5%内。7 Y+ j1 F6 H1 x# w1 `- A7 q! i

% c1 B) g! i( v7 n; S  c如果以上两种方式都使电压波动维持在5%,那想叠加岂不是波动在10%?
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请高手帮忙解答。不胜感激。。。4 M  _% h! r- f7 S) r# d
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作者: binbinqq88    时间: 2016-9-27 18:47
同求
作者: lizongshan    时间: 2016-10-9 09:50
已经下了,非常感谢!!
作者: Dandy_15    时间: 2016-10-14 13:32
我的理解是得结合起来考虑,如果目标要求是5%,那么AC纹波加IR_Drop总体不得超过5%,一般情况下,AC纹波占20%,IR_Drop占到80%
作者: binbinqq88    时间: 2016-10-28 21:23
先确定目标值,AC(主要看L值)纹波+DC(直流电阻)IR-drop 小于目标值




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