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标题: 有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》 [打印本页]
作者: forevercgh    时间: 2008-11-5 20:50
标题: 有奖讨论《为什么IBIS model仅适用于相对低频段》
RT & H7 y3 r7 R1 w/ [
凡积极参与讨论者均有积分获赠
作者: tianya    时间: 2008-11-6 10:42
论点就错了，还讨论什么啊
作者: banana    时间: 2008-11-6 20:48
哪错了？？
作者: forevercgh    时间: 2008-11-6 21:51
原帖由 tianya 于 2008-11-6 10:42 发表
8 f" ]! ~" Z  M论点就错了，还讨论什么啊

+ X& a( u% s/ @0 K* L0 k4 E6 e1 |( S3 X& B7 l( X+ f
tianya说的太对了，论点就有问题。 3 e- |! @1 w- x7 h: j' S
并不存在ibis model适用频段的问题，只是看manufacturer愿不愿意花精力搞ibis model了
作者: tianya    时间: 2008-11-6 22:22
对常见并行接口，如DDR2/3，做到精确，也不是很难，像Micron的ibis模型，都很准确；
4 X. @5 G9 q" C' _3 Q; A对serdes，之前ibis4.2的AMS，现在ibis5.0的AMI，都可以做到很精确，SiSoft做过AMI和SPICE的对比，可以看一下。
作者: forevercgh    时间: 2008-11-7 09:36
micron在model supply和quality方面做得的确超好。
3 F% |2 z! E, Z% D好久没关注IBIS forum了
0 L# f$ c( ]' e) J6 E看来得过去学习下了
' F$ k2 g+ M7 ^1 ?8 y4 o, z感谢tianya
作者: Engy    时间: 2008-11-7 13:17
崇拜!!!
作者: frankqs    时间: 2008-11-9 13:58
我觉得一般的Ｆｌｙｔｉｍｅ仿真，ＩＢＩＳ　还是挺好的。
4 c6 ^: c5 v$ R- P4 m' F+ a: v/ q但是Ｏｖｅｒｓｈｏｏｔ就不好了。
0 p7 |/ K6 X( \ＩＢＩＳ对于数字电路的一般就够了。
! ]4 t. ~; g! \不用太去关心　适用频段。
/ p0 q1 q( n- z9 t. E呵呵
作者: yongdaniel    时间: 2008-11-13 01:11
IBIS 是可以仿真高频的， 但这要看多高频率，3GHz一下还是可以的，但要想更准确，还是要用Hspice.
作者: leixiaoyu    时间: 2008-11-14 11:36
模型都有带宽的，IBIS模型仿真带宽比较小，毕竟是表格格式的
作者: forevercgh    时间: 2008-12-2 09:23
原帖由 leixiaoyu 于 2008-11-14 11:36 发表 ) \0 f" X5 x! r5 {) j
模型都有带宽的，IBIS模型仿真带宽比较小，毕竟是表格格式的

: ]: T$ ~5 ^5 I3 z3 O1 U* `- T+ M1 {. q- [+ [' f$ b( |' w
烦劳详细解释 4 q8 g- Z3 d1 t5 P' w

5 L  z: Y/ j3 i2 r+ Y表格形式和带宽应该没有直接关系吧
  y' L  v7 z$ n; T* g
& L/ c5 U3 b2 @& u倒是netlist会牵涉到带宽的问题
作者: panda5311    时间: 2008-12-2 21:43
当器件工作在晶体管的饱和与截止区时，IBIS模型缺乏足够详细的信息来描述，在瞬态响应的非线性区域，用IBIS模型仿真的结果不能像晶体管级模型那样产生精确的响应信息。然而，对于ECL类型器件，可以得到和晶体管级模型仿真结果很吻合的IBIS模型，原因很简单，ECL驱动器工作在晶体管的线性区域，输出波形更接近于理想的波形，按IBIS标准可以得到较为精确的IBIS模型。
, }4 |9 W& w1 H; R5 ^/ d
  w4 P2 j# j) Z由于IBIS模型不适用于描述有源电路，对于许多有预加重电路进行损耗补偿的Gbps器件，IBIS模型并不合适。因此，在千兆位系统设计中，IBIS模型只有在下列情况下才可以有效工作：
" R" y9 o- g. Q7 w/ S7 ?; ~　　1．差分器件工作在放大区(线性V-I曲线)
" x- c$ d$ R7 v% X  W$ M　　2．器件没有有源预加重电路 : q; {7 c8 f1 K! a' k9 j# f
　　3．器件有预加重电路但是没有启动(短的互联系统下启动预加重功能可能导致更差的结果) * w, q; q3 X4 V! I8 i- W/ p
　　4．器件有无源预加重电路，但是电路可以从器件的裸片上分离。
$ @9 i8 W- g9 u　　数据速率在10Gbps或以上时，输出的波形更像正弦波，这时Spice模型就更适用。
作者: xooo    时间: 2008-12-3 21:56
IBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性，有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度，通常用于仿真1G内的数字电路。
作者: forevercgh    时间: 2008-12-5 09:12
原帖由 xooo 于 2008-12-3 21:56 发表
$ e7 s% F+ a% p& m# r# O! XIBIS 模型描述的是电路的行为特性而并不是它们的电路特性，有限的数据与精度决定了他不能在很高速情况下保证精确度，通常用于仿真1G内的数字电路。

: ^6 Q9 M3 `- n3 [) O& {/ }! ~
; M4 O. U+ C# D1 U2 E- M% N. A7 Y3 ZIBIS就是个TABLE，表格大小应该不是主要的限制，至于精度，参照IBIS cookbook都晓得，IBIS模型对照spice模型的验证与校正也是建立IBIS模型的关键步骤之一。
作者: shuwf    时间: 2008-12-14 14:27
个人觉得，对ibis仿真精度影响最大的VT曲线。
+ r. m- N/ X7 I8 @; Q3 m所以对于接收端的modeling来讲，ibis在很高的频率段仍然能有很好的精度；
9 i8 j5 M9 {9 M) S5 w. R% E而对于发送端模型，; @9 h" X  v+ i2 T* Y1 L& ^, Q
一个是VT曲线的时间长度(T)决定了仿真的最高频率，对于高频仿真,T要很短,很难精确建模。! v4 l8 z' _6 D" X' J
另一个就是ibis对真正差分端口的modeling能力有限（特别是PN不够对称得时候），而高速信号又一般是差分信号，并带有预加重和均衡，这些ibis都无能为力。6 t) F& Z; ]# E. L: M6 L+ [0 e
; ^$ p1 O; H+ r" @% t& |' J
但是情况可能在ibis5.0以后会改观，因为AMI扩展使用时频域混合的方法来进行建模仿真，这大大增强了ibis的建模能力。
, g( j# l: R2 r0 m! t1 ?5 U* [
0 N' b: t% m& i' F0 B说句题外话，一个模型重要的是它的质量，而不是格式。ibis模型经过精心设计，同样可以跑很高频率~~
作者: jasonlu    时间: 2008-12-14 20:54
IBIS应该不存在这个问题,
$ M3 C. ]! x: \2 I( Q9 T在建IBIS的时候设定好就可以!
作者: lucio    时间: 2008-12-15 21:08
学习一下！
作者: lining0223    时间: 2011-2-27 21:12
学习一下~



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