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标题: 用PowerSI仿真时，大型芯片的片上电容怎么使用的？ [打印本页]

作者: yinning 时间: 2016-4-20 10:01
标题: 用PowerSI仿真时，大型芯片的片上电容怎么使用的？
现在大型FPGA都集成了大量的片上电容器，原理图设计时只需使用少量的外围电容就可以了，但在电路板仿真时就遇到了问题，外围电容很容易加入模型进行仿真，但片上电容怎么加入模型呢，如果少了这部分片上电容，电路板仿真就不真实了吧。

作者: cousins 时间: 2016-4-20 10:41
仿真PDN分端口的，你分析的端口位置在BGA pin上那就是pin上的结果，是真实的.
如果是die 上，那就要考虑片上电容。片上电容大多为100pF以下容值，用于解决高频带的纹波问题，对pin上的低频带影响可忽略。

作者: yinning 时间: 2016-4-20 15:33
谢谢！

作者: yourjun 时间: 2016-7-22 09:08
同问

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