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标题: USB 抗干扰问题 [打印本页]

作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 09:20
标题: USB 抗干扰问题
最近做一款产品,出来发现USB 抗干扰能力较差,各位道友给看看  哪里可以优化下
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作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 09:22
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作者: partime    时间: 2016-4-8 09:29
看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还是有影响的
作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 09:40
partime 发表于 2016-4-8 09:29
; R# y" U9 k8 G6 `3 G, t/ x看起来没啥问题。问一句, 你那个CMC还是什么,离USB接口那么近,能焊接上去么?焊接不上的话,对抗干扰还 ...

+ e1 y  U7 U$ U! T 可以焊接上去在底层  USB  在表层
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作者: woniufeiyu_go    时间: 2016-4-8 10:33
从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?
作者: 风凌天下    时间: 2016-4-8 10:38
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来的那个芯片是防护芯片吗?感觉处理的不是很到位,走线。接到cpu处的那些匹配电阻,接地过孔太少了,那么多个共用3.4个过孔。
作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 10:50
woniufeiyu_go 发表于 2016-4-8 10:332 J2 [6 V5 g) I2 T6 `' E5 H7 h
从usb接口到防护器件怎们没走差分呢?

. l% M5 c8 [, X$ K8 ^, sUSB到 防护器件的线较短,就走了个类差分线,这样走下来正好等长要不也是得人工绕等长  从USB到下面的串接电阻  线长为437mil
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作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 10:54
风凌天下 发表于 2016-4-8 10:381 i! V3 F5 |! Y' _. V# i
两个地之间的间距至少40mil,离得太近了EMC就过不了。USB内层走线跨分割严重吗?这里截图看不到。还有进来 ...
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两个gnd直接确实没有到 40mil   现在 目前的情况是  25mil 左右  但是隔离地到BUS的 gnd 引脚 较近 这个是 11mil  不知道这里 影响大不大
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另外内层USB走线没有夸分割 USB 下面为整层的 gnd   4 u' ^* V) X; f  w/ E
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最后的伴随gnd孔  我在多加几个
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非常感谢+ ]+ ^5 t# b- D

作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 11:01
我感觉是不是我们公司测试的方法不对,他们拿了个打火机里面那个按下可以放电的东西,去打机壳。来模拟,USB受到的干扰。各位大神,你们的产品是怎么测试这方面的,求指导下
作者: 风凌天下    时间: 2016-4-8 11:06
还可以这样啊?不是做SI吗?
作者: chenzhouyu    时间: 2016-4-8 13:49
个人愚见:2 ?5 q% w+ x/ y6 i
1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;8 ^2 y# A) `* _$ q
2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合适?
作者: niliudehe    时间: 2016-4-8 16:04
chenzhouyu 发表于 2016-4-8 13:49
8 }  O7 \: e7 _$ L6 p4 ?* K个人愚见:
9 h: _* Z- q1 o3 l! F1 [1、保护地和电源电的距离如6楼所说,加大;
8 z" r# ?6 D6 p) b1 r# t1 p2、USB的保护器件的接地问题,是否接保护地更为合 ...
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您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?
作者: zhang5310    时间: 2016-4-9 07:35
个人愚解 ,USB走线多粗?加粗到12MIL试试。另共模电感要用90欧的品牌货。
作者: chenzhouyu    时间: 2016-4-9 08:18
niliudehe 发表于 2016-4-8 16:04
; |% L/ N8 s' x您好,关于第二条我想问下,如改为保护gnd  那usb 这个器件上面的gnd是不是也需要改为 保护地呢?

& k# U+ u3 x" s6 m( f% o我是这么理解的,保护器件接到保护地,共模电路直接流向保护地,尽量使共模干扰不流经工作地。# y: w: q8 I0 r; i+ z0 n, D

作者: 歪头歪脑    时间: 2016-4-10 19:58
看看
作者: zhuyt05    时间: 2016-4-10 23:30
你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
; Q0 X8 c. T8 b& k) |5 p个人建议:
+ K! k' J0 \1 N4 ]1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地),保护地与交流电大地尽可能短的连接,将静电快速导出, 信号地与保护地用磁珠连接,不要用电阻或是电容,增大保护地与信号地的阻抗
, A4 ]5 I% l! F! Q. M" z2. USB布线要求并非那么严格,至于保护器件那部分没有差分走线,保护地和信号地距离较近,我感觉都不是主要问题,你这应该是打静电时,保护器件将静电直接导入到信号地了,从而引起系统异常.的确有些设计是将静电引入信号地,不过个人感觉此方法慎用.要测试这个问题,也挺简单, 你的保护器件接的是信号地,不是保护地,那你就直接在USB接口附近的信号地上打静电,如果不过,说明此方案是不可行的,只有将静电引入保护地5 w7 x! p- C- e5 ?% W# o: z6 {! H
3. 与产品结构也有关系,有的结构有耦合等,你可以先测电路板,但电路板与交流电大地处理好.
作者: niliudehe    时间: 2016-4-11 08:33
zhuyt05 发表于 2016-4-10 23:30/ x" V( k& w4 E3 k6 W
你说的抗干扰差,是指ESD测试不好过吧.
3 \' K8 z" Q% O1 _个人建议:
# v, w$ l: r1 F- V; W) y1. 保护器件将静电引入保护地(也就是USB外壳连接的地), ...

. O( ?; t6 P& @. I谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢
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作者: TCCZY    时间: 2016-4-11 13:58
学习了
作者: zhuyt05    时间: 2016-4-11 19:55
niliudehe 发表于 2016-4-11 08:331 S4 U4 ]' @+ I$ M, A9 Q% x
谢谢,您的建议,看完后感觉一下明白了好多,非常感谢

0 ^7 B& h6 w- \* r1 ^- R对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地来说的,因为模拟的是人接触时的静电放电过程,而人是站在大地上的(长翅膀的鸟人不考虑). 如果用打火机打,一是这个电压是多少V不知道,二呢,这个电压应该不是对大地来说的,所以情况怎样不好说,建议还是用专门的静电测试仪器来试,按照标准布置,不然可能做的都是无用功.* s- g. Q9 c: ~

作者: niliudehe    时间: 2016-4-12 08:41
zhuyt05 发表于 2016-4-11 19:55; P- s: x6 l! }" x; z1 S
对了,前面你说公司用打火机试,这个是不行的.一般打静电,用的专门仪器,比如打4KV,那么这个4KV是相对于大地 ...

$ L7 b6 c- Y) Z4 P, F大神你这太专业了% c5 f" f& A/ `

作者: mancy66525    时间: 2016-8-15 13:30





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