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标题: mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨 [打印本页]
作者: muyidou    时间: 2016-3-30 18:24
标题: mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨
如图，这个电路24v输入，为什么能输出12v。 该电路是成熟电路，实际搭出来的确是能测得接近12v电压？ 请问怎么分析输出电压的产生。$ \8 Y% D3 @5 g% r6 N2 b. N/ W7 X# \) r

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1.png
作者: tony123    时间: 2016-3-30 22:59
我也看不懂
作者: 超級狗    时间: 2016-3-30 23:14
書到讀時方恨多！
2 ?0 H8 |! B3 Y: a+ |( C0 V. L$ S  E9 o) Y

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1 ]; {- j. O4 y5 {8 L& i

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg
作者: 故城往事    时间: 2016-3-30 23:36
应该是一个NMOS的驱动电路吧，不像常用的电平转换电路。
作者: 故城往事    时间: 2016-3-30 23:36
应该是一个NMOS的驱动电路吧，不像常用的电平转换电路。
作者: fallen    时间: 2016-3-31 00:27
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
作者: 故城往事    时间: 2016-3-31 08:34
fallen 发表于 2016-3-31 00:279 o/ F: P; I! _
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

1 O) F/ x' Z5 N1 V5 y. T$ w- `, B我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.
! C9 v6 L: ~" o( K2 L* l# d2 Q
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 09:15
fallen 发表于 2016-3-31 00:272 C4 S4 x5 h7 O' u+ i0 u' @
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

. }9 I. D8 i- ^! d5 a* t/ e0 |( cfallen版主，这个电路很疑惑，所以发帖求助，结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗？# F; T& M/ E! K$ b% r& t
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 09:16
超級狗 发表于 2016-3-30 23:14
2 r6 \5 P4 @& I6 b7 A# m書到讀時方恨多！
" W( y' M# A( M% v1 S
版主大哥，小弟结合两张图没看懂% o+ T1 }7 K2 r5 k) c. |+ u- U! P
作者: 超級狗    时间: 2016-3-31 09:37
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑
' Q3 G9 L7 p7 T0 E
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16
- }7 e9 ~" r, q版主大哥，小弟结合两张图没看懂
8 z3 T! X1 A9 F" c3 P
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懂了嗎？/ s- Q0 ]) T9 J1 H: i
, J# A) w% a9 e8 m8 I# v
小弟的能耐只到這裡！
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( _& R  K) H# Y6 m+ x# x
作者: skatecom    时间: 2016-3-31 13:46
我表示看不懂啊，狗大解释一下，MOS管跟R26并联，1欧的电阻，1206的封装，12V的压降，意思说通过电阻的电流12A，这不科学啊
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 14:39
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...
    • , N0 L- V, S2 g2 P
    版主大哥，我和楼下有相同的疑惑，1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗？3 M9 f; x% p1 ]; T
    作者: 超級狗    时间: 2016-3-31 16:52
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46- z) c5 h& f- G. W4 g+ k2 h; _
    我表示看不懂啊，狗大解释一下，MOS管跟R26并联，1欧的电阻，1206的封装，12V的压降，意思说通过电阻的电流 ...

    / b2 [1 ?3 L% ]0 w' w+ I/ E9 N家裏沒大人？輪得到 R26 說話嗎？8 l9 A% R& k; x
    # |  U" X% |) S  N4 O' S, Z/ a5 L
    : T: R  g9 A5 t7 h0 y

    MF-NSMF050.jpg (94.21 KB, 下载次数: 1)

    MF-NSMF050.jpg
    作者: cszyueluo    时间: 2016-3-31 17:42
    这个电路有点不是很明白，R26的电阻是选择性的上吗？出12V时，R26不上？
    作者: cszyueluo    时间: 2016-3-31 17:44
    如果R26不上件，特定条件下输出12V可以理解，但是R26如果上件，输出12V，必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V，耗散功率保险丝根本就顶不住。
    作者: qiangqssong    时间: 2016-3-31 18:04
    PD4是不是稳定管?如果是12V的稳压管就好解释了
    作者: skatecom    时间: 2016-4-1 09:11
    PTC，按1A*0.7，也最多是0.7V的压降，那还剩下11.3V呢，1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的，PTC限制了回路总电流，如果最大电流只能过1A，那11.3V压降从哪里来呢
    作者: clp783    时间: 2016-4-1 11:48
    高人在何方，这是什么情况。
    作者: muyidou    时间: 2016-4-1 19:06
    是呀，还没解惑
    作者: ginooolu    时间: 2016-4-1 19:36
    在下也發表一下個人看法
    9 ?' W4 Z) u6 t3 g4 m; ~$ p( \如版主圖所示，Q1不會工作在飽和區(右側水平線)，而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)/ Z7 ?7 `8 [" i1 {) f
    通電後，Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V，Source電壓開始上升。Vgs越來越小，使Q1脫離飽和區進入電阻區，預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態，如此轉出12V0 h5 y/ b0 s* P* b
    如上面先進所述，PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理6 M( `7 w6 S: j2 k
    R26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路，如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。5 R3 j; T  W* j: Y5 M4 |5 e+ @5 ?: i
    作者: 北漂的木木    时间: 2016-4-7 14:09
    表示不能理解这么做的意义，降成本？问题是，3205的成本也不低啊~！
    作者: liangjiatian    时间: 2016-6-6 09:14
    换成PMOS就好了
    作者: kingsr    时间: 2016-8-17 13:43
    Q1实际上进入了变阻区，如果负载电流大发热
    作者: muyidou    时间: 2016-12-13 22:04
    隔了快一年多再次看到这个帖子，感谢各位的回答，这个电路如今已经搞清楚了，R26是预留！！！！   作为12v与24v系统的备选；当12v系统时，R26贴上，Q1\R27\R28不贴； 24V系统时 Q1\R27\R28贴，R26不贴，mos工作与可变电阻区，vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压，后面有接LDO（LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma）,LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右，主要热量在mos处；感谢各位！
    作者: 大山    时间: 2017-4-26 14:44
    这个NMOS电路是不是LDO？



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