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标题: 【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额:2000~5000 元) [打印本页]

作者: EDA365_PCB    时间: 2016-3-11 17:59
标题: 【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额:2000~5000 元)
本帖最后由 EDA365_PCB 于 2017-11-17 16:17 编辑 / P5 ?. v- n5 f. n' c3 c9 ^
/ S6 e3 F8 p, k# G! t& z0 Q' {; z
1.问题描述:
设计的数据采集器主控STM32F407,使用spansion公司的nand flash S34ML01G200存储数据,使用Keil MDK自带RL-FlashFS文件系统。20台机子有3台在使用半个月之后出现nand flash无法读写的问题。片选CE为高电平,无法拉低,判定为物理损坏。9 L: }% t4 Q4 ^$ D6 D' |; j; O
1 ]# i$ k  Z7 @" ~- ^! |
2.原理图、PCB
% b5 q2 Y) ]2 t6 t5 E; V9 G- W" E
3.要求
找到该问题所在。
6 Y/ @9 h+ W- a$ Q2 g' v2 _, }
4.时间
一个月

! c. C' M# t2 g" |" ?0 J6 h! \
5.预算
2K~5K

1 i: Z2 k* a6 y. G联系版主:
5 ~) r4 o! }( h4 T: F" S! q4 D(1)已经通过认证的设计师请直接发送你的中文姓名到版主邮箱,说明具备的接单条件及意愿。3 R" M8 |. M- i1 e
(2)未参加认证的设计师请先去EDA365人才网(http://job.eda365.com)注册个人信息,然后要求同上。
4 w$ Y6 T+ ]- ^+ o- a% x(3)意向接单人员请不要直接在帖子下方留联系方式,发现后禁言、屏蔽处理

NAND FLASH 无法读写.pdf

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作者: yuxiaoxu8728    时间: 2016-3-12 09:53
这种问题应该可以自己解决:# T/ g+ ?' A. ^4 F! P4 V( I+ u
1,先找软件问题,如果软件没有问题,再找硬件
, R% O& K7 \& N0 [7 Q5 r2,硬件方面可以从焊接和PCB板材问题考虑(PCB问题应该比较小)主要就是焊接的问题,可能Nand会出现虚焊什么的,
作者: xg_fopen    时间: 2016-3-13 12:07
软件没问题的话,查找硬件,焊接是否虚焊?电源是否正常?
作者: meateat    时间: 2016-3-13 23:31
有做过哪些测试?
作者: wt8800    时间: 2016-3-14 11:06
只是挂在那做采集和传输实验,没有做测试。2月初挂了20台在实验,每1分钟采集两次数据存储在flash中,每10分钟从flash中提取数据发送到服务器。到现在已经有3台出现问题。
作者: carrotzjg    时间: 2016-3-14 13:30
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判断。期望能够合作
作者: myiccdream    时间: 2016-3-14 18:12
按照“每1分钟采集两次数据存储在flash中” 。
3 ~( s! \- C* o' g/ ]( S0 N按照30秒写一次Flash ? 然后在假设楼主的程序在反复的擦写flash的同一页:
- D- W# J/ C, _% h* k5 W30天*24小时*60分钟*2=8.64万。 这个Flash就差不多报废了。
/ r3 b$ L# L5 G5 R, D9 F8 k/ r其实要论证一下是不是程序问题很简单。 将这个擦写速度提高,比如200ms什么。看问题是否大规模出现就可以了
作者: meateat    时间: 2016-3-15 06:56
如果是芯片自带闪存控制器,应该会有坏块控制及负载均衡,如果是自己用IO口模拟的那有可能把某个块写坏了
作者: meateat    时间: 2016-3-15 06:57
如果主芯片可以接EMMC建议用EMMC闪存
作者: EDA365_PCB    时间: 2016-3-15 08:57
carrotzjg 发表于 2016-3-14 13:300 _/ N' y1 ]& v3 p
如排除了软件问题,问题很可能来自于电磁辐射,需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判 ...

. c, ~3 X9 g" n& h如有意向接单,请联系版主。联系方式见帖子说明。
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作者: Projectaker    时间: 2016-3-26 17:46
以下三点流程:# c! _( |! r  ~7 b$ E* m; ]
1.如果有同样的片子在其他板子上使用,那就更换对比操作,鉴定是不是片子本身问题(如果是片子问题,再怎么折腾浪费时间);
. ?5 k3 M3 B5 B- n1 |: Z; ^3 C2.在确定没有焊接问题的情况下来先确定和nand之间的各个信号是否确认互通ok,否则你浪费时间在对的软件里面看错误;
% D8 z# r6 M1 z) T3 c4 A/ k3.上述没什么问题,软件找原因。6 k/ e+ e( H$ a) z6 Z
个人意见~
作者: hupmtv    时间: 2016-4-2 22:13
这种设计出问题是必然的,NAND FLASH写入次数是有限的,你这个规格书上说1000次左右“– Block zero is a valid block and will be valid for at least 1000  program-erase cycles”,如果频繁写入是不能用NAND FLASH的。
作者: mcu20050226    时间: 2016-4-2 23:02
对, NAND FLASH写入次数是有限的。 肯定这个原因。
作者: gaoyubindan    时间: 2016-4-3 15:50
NAND FLASH写入次数是有限的,楼上的朋友分析的很对,下不下来资料,没看到具体的檫写次数限制,按照介绍的频率,一个月差不多2000多次。为了进一步验证是不是檫写次数导致,你可以把读写时间改短,然后持续檫写,看看最终可以有好多次的寿命
作者: mcu20050226    时间: 2016-4-4 18:55
是不是FLASH寿命问题, 可以看懂下面的方法。在有问题的板子上FLASH换了一下吧。
; c( }( t6 M6 D+ J! t) @出现一样的话, 有其他原因。
作者: keke96    时间: 2016-4-17 20:36
很大可能跟硬件有关0 z% ?# C/ O! a! g

作者: liangkai520    时间: 2016-5-12 09:24
有没有PCB图看看是不是少了根线,之前我也遇到过这样的情况少了根线。
作者: 顺风    时间: 2016-5-18 14:35
nand flash的擦除是有次数的。但是也没有这么快就完蛋吧。即使有那么多坏块完蛋也不能片选拉低不了吧。是不是坏块过多换一片nand就是了。我们的产品用nand都快6年了。也没怎么样。也是经常性的打包日志往里面存。
作者: djadfas    时间: 2016-6-8 16:03
开始可以正常,说明软硬件暂时没有问题的
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那么为什么会坏呢,就只有一种可能:焊接
作者: dwtqqa    时间: 2016-6-23 10:05
SLC FLASH寿命是很长的(擦写大于10W次),不过MT的会比较差,可以正规代理找三星的试试,软件上要有磨损平均算法.
作者: arrowlin    时间: 2016-6-24 16:15
学习了
作者: iuven    时间: 2016-7-29 14:01
寿命问题!NAND Flash不做算法这么用不坏才怪呢?
作者: Tony7919    时间: 2017-3-7 17:03
不一定就是FLASH寿命问题。
作者: arminzn    时间: 2017-9-10 12:07
大家好。 我有個問題。 為什麼在你的設計中使用這個(BLM)?
作者: digitzing    时间: 2018-2-7 15:22
问题找到了吧?' ?" h# I# B3 {8 U7 N! |& I! }# }





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