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标题: DDR3的终端电阻周边的电容问题 [打印本页]

作者: nighteif    时间: 2016-1-15 13:50
标题: DDR3的终端电阻周边的电容问题
如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设计,还是说有什么特别的作用呢,希望大家给帮忙看看,谢谢大家了
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作者: nighteif    时间: 2016-1-15 13:51
自己先顶一个
作者: aspirer    时间: 2016-1-15 14:56
帮顶,也刚开始用DDR3
作者: nighteif    时间: 2016-1-15 15:03
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢
作者: dzkcool    时间: 2016-1-15 15:47
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。: N$ E; q, O- C, @1 s) A
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。
作者: nighteif    时间: 2016-1-15 16:04
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47) G# `5 D$ c6 [/ J& K" Y
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。
! ]- R( t* _& J所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...

  a, m8 g. P, r. r嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解! \/ L- E% `( g6 T

作者: 菩提老树    时间: 2016-1-15 22:53
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04: G  ]" I  R# H* g# r+ K: @
嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知 ...
2 Q3 H3 ~$ x1 L- ]' i
这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用
作者: nighteif    时间: 2016-1-16 20:54
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53+ C/ N7 n3 h1 @7 Z$ }% D
这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

) a- W  d4 I- j3 L好的,谢谢了
4 q3 m' v: }/ H
作者: esyintao    时间: 2016-1-20 17:29
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些
作者: nighteif    时间: 2016-1-23 15:11
esyintao 发表于 2016-1-20 17:29
. Q" x. y& R; o- s- N4 ]可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些
' ?3 @- h2 C: K4 O1 Q
待我问问这么设计的人) |, M. d& N9 Q3 F6 r# Y; }$ ^

作者: leoric    时间: 2016-2-1 09:41
学习到




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