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标题: LDO 问题 [打印本页]

作者: wjy_sz    时间: 2015-9-23 10:41
标题: LDO 问题
为什么在LDO的规格书测试PSRR,都是Iout为几十毫安,在f=100hz/1khz/10khz/100khz测试,这样测试的目的和意义,指教大神们。
作者: fallen    时间: 2015-9-23 11:24
测试的目的和意义:为了规格书上得到好看的数值。' i. O9 i: |. k6 P/ ~  N* E9 R
估计跟音频测试1KHz 类似。
作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 13:38
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-23 16:44 编辑
& x- \# x& S3 l) q% E
* a' v  J; \1 V$ l1 o/ S) I呵!呵!不要把別人想的那麼壞,事實上是有原因的。高負載電流High Load Current)的狀態下,反而對低頻的 PSRR 有利!
4 g; ]. p  g, c3 E8 [+ Y- g0 H" E
As load current increases, the open-loop output impedance of LDO decreases (Since a MOSFET output impedance is inversely proportional to the drain current), thus lowering the gain. Increasing the load current also pushes the output pole to higher frequencies, which increases the feedback loop bandwidth. The net effect of increasing the load is therefore reduced PSRR at lower frequencies (because of reduced gain) along with increased PSRR at higher frequencies.( d7 t3 |% c! F- x3 G, i1 Z/ V
& Z% v! @- e3 f1 ^: q# d( g5 M3 C
; u/ t* ^! h/ W5 f) l

作者: wjy_sz    时间: 2015-9-23 16:42
超級狗 发表于 2015-9-23 13:38
7 N# z3 k( a7 W: w! d呵!呵!不要把別人想的那麼壞,事實上是有原因的。高負載電流(High Loard Current)的狀態下,反而對低頻 ...
( h1 b; Z: h& O9 h0 ^
谢谢高人指点,要好好消化一下。$ `1 Q- V- r& ?, s9 V4 I

作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 16:48
wjy_sz 发表于 2015-9-23 16:42
5 F5 p+ r: j% C6 r: [$ Q7 \谢谢高人指点,要好好消化一下。

/ D$ h! a: F2 P2 e% [; X( S現在才交出來會被打嗎?
2 L- ?3 w. I1 H3 `  q
8 z# n6 F# a7 Y7 u) @踢哀(TI)LDO PSRR Measurement Simplified; Y: ?6 }3 }1 y

' s( g% k: \. p4 w) y坦白從寬、抗拒從嚴!4 Z4 b& w* k5 X" ^9 Y/ O
, G8 ?3 u( g9 c  U' G& _

8 Q) R! K4 x) \! i' |

slaa414.pdf

140.49 KB, 下载次数: 16, 下载积分: 威望 -5


作者: fallen    时间: 2015-9-23 17:19
不如来个中文的吧。
( [% A& I. H. r; g

LDO的PSRR.pdf

1.84 MB, 下载次数: 40, 下载积分: 威望 -5


作者: fallen    时间: 2015-9-23 17:29
超級狗 发表于 2015-9-23 13:38& i, |! c) Y, g/ Q5 ]: `
呵!呵!不要把別人想的那麼壞,事實上是有原因的。高負載電流(High Load Current)的狀態下,反而對低頻 ...

2 F, Y' f) R) H7 S. ]PSRR=20log(VIN_ripple/Vout_ripple),说明PSRR越大越好。$ O" N+ c4 E4 u' M0 G1 T) D# j! p
那么  The net effect of increasing the load is therefore reduced PSRR at lower frequencies
# [5 d+ i9 B2 e: h电流增加,在低频的时候将会减小PSRR的数值。电流比较大的时候,PSRR不好。如果要测的好一点的指标,电流适当降低。$ @" ~  F2 e0 j0 ~! M

作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 22:41
fallen 发表于 2015-9-23 17:29% R" f3 s( W: I8 @+ u+ T' ~
PSRR=20log(VIN_ripple/Vout_ripple),说明PSRR越大越好。
) P5 `. n; N  q8 A, H那么  The net effect of increasing the loa ...

4 e! A7 W' o5 o: h墮落(Fallen)兄果然是高手,小弟有以下的見解,請參考!1 y; k. u2 E' u1 k/ O6 X( L( W6 ]
2 @& K5 P1 l( e( b: q  B# P( T
" w5 ]3 T5 C! _$ C

, T' e4 {, }  @  m( g

TI LDO Feature.jpg (89.69 KB, 下载次数: 0)

TI LDO Feature.jpg

TPS17xx PSRR.jpg (85.83 KB, 下载次数: 0)

TPS17xx PSRR.jpg

作者: tanik    时间: 2015-10-17 00:25
本帖最后由 tanik 于 2015-10-17 00:30 编辑
  N7 ]: U" a$ m9 p) L/ Y0 h) p: Q/ R% B
简单来说,就是看你的应用环境及负载对电源波动的要求来选择合适的LDO。




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