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标题: Q 求助MOS管充电原理 [打印本页]
作者: tianpu0501    时间: 2015-5-29 12:09
标题: Q 求助MOS管充电原理
求助MOS管充电原理' U% E0 [( Q6 |/ B$ \) C, Z0 a0 c

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Catch.jpg
作者: jacklee_47pn    时间: 2015-5-29 18:36
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
0 R& i0 V  s7 t4 Z+ J
( ]' ?' r2 h! ~# s當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
, _$ B  m# H4 u7 v  @當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。
作者: tianpu0501    时间: 2015-6-2 13:59
jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36' k" A4 u3 S) v0 }- J- P" S
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
3 W5 E  k- U$ }  ?: c) x6 z; E/ i  z6 h* a. Y; V" Q
當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
/ i' G1 q4 k( [" q
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？, P8 d3 x9 o! ?3 c, J
作者: jacklee_47pn    时间: 2015-6-2 15:34
tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59) I3 f2 R6 o0 g8 \( h
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

+ p0 }- \& N8 Z) h. I/ Y
增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。
( V3 ?0 i: d- q7 f1 p
當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

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作者: tianpu0501    时间: 2015-6-2 18:12
jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34$ ], G) y: X- O6 V2 t" ]
增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...
& h5 W" z( w' c2 y% m: a
非常感谢！说得很详细。
4 C6 a3 x7 {$ `6 j2 r. C
作者: liangkai520    时间: 2015-6-3 08:36
Q1呢



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