cousins 发表于 2015-4-20 09:04$ f: Y( J, S# H/ Y* u
我所了解的是4microns p-p
所以可以设置成1microns rms Hammerstad Model
shark4685 发表于 2015-4-27 17:15
Hammerstad Model这个模式比较实用。
tangryshe 发表于 2015-5-26 09:196 h {. W5 v3 j2 v
仿真H-VLP铜箔不准
shark4685 发表于 2015-5-26 09:265 c1 D& D( e v4 P# R
有没有具体数据分享下。
tangryshe 发表于 2015-5-26 09:348 ~" N4 s3 k7 R
抱歉 说错了 粗糙度很大的铜箔Hammerstad建模不准 RTF和HTE应用Huray
cousins 发表于 2015-5-26 09:45
你说的对。% s2 X2 |+ U/ l% L% B2 P7 j
可是目前的针对于10Gbps以上产品的工艺对粗糙度和材质温度特性的均衡考虑,Hammerstad足以应 ...
cousins 发表于 2015-5-26 09:45
你说的对。
可是目前的针对于10Gbps以上产品的工艺对粗糙度和材质温度特性的均衡考虑,Hammerstad足以应 ...
tangryshe 发表于 2015-5-26 10:06
是的 球形大小和面积比例不好确定 没有电镜图片 也不愿意计算的话 不如参考Huray的文章给出近似的参数现 ...
doya 发表于 2015-6-3 10:45
个人觉得,如果使用频变的Df参数拟合插损,可不用太纠结粗糙度具体值,能够表征就可以了。
shark4685 发表于 2015-4-27 17:15
Hammerstad Model这个模式比较实用。
shark4685 发表于 2015-4-27 17:15
Hammerstad Model这个模式比较实用。
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