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标题: 这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平 [打印本页]

作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 09:16
标题: 这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平
这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平,用示波器查看,VCC上电瞬间,MOS管Q1有个瞬间导通脉冲,在脉冲期间,三极管J9的基极是一个低电平,之后才升高。求解,谢谢!
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QQ截图20150127174950.png

作者: fallen    时间: 2015-1-28 10:25
简单,你把R6去掉,在基极接个10K电阻下来,IO口改成推挽输出
0 U& K7 s& P4 ?& S, D# m原因就是在上电的时候,被上拉电阻拉高了。
作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 13:48
fallen 发表于 2015-1-28 10:25
9 X% n: L6 r  Q简单,你把R6去掉,在基极接个10K电阻下来,IO口改成推挽输出( g1 W1 G) q" i, K# i4 Z9 K0 l
原因就是在上电的时候,被上拉电阻拉高了。
( L/ _$ z' W- D  m! m
就是要上拉才行的,这个电路三极管J9在基极高电平时,MOS管才会截止,如果低电平,MOS管就导通了。上电瞬间就是因为J9的基极在上电后没有马上拉高,才导致MOS管瞬间的导通脉冲。/ q# T" g3 p) T' @

作者: fallen    时间: 2015-1-28 14:12
哦,不好意思,我先入为主了,sorry。明明看到两级,却无视了,, p9 J, Z4 Y. n  [' }

作者: fallen    时间: 2015-1-28 14:14
问下VCC是否是和IO口一路的电源,比如3.3V,如果不是先查下上电时序) U1 I, g6 t# V* k" P
如果是,那么把R6改小,比如4.7K。
作者: ljy_0715    时间: 2015-1-28 14:31
在R6上并个电容吧
作者: 技术流    时间: 2015-1-28 15:12
IO1 接的是什么?R5 是不是没贴?
作者: fjnhzhm    时间: 2015-1-28 16:03
我觉得应该把C1去掉试试,另外R3和R7重复上拉了,留一个就好
作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 16:53
本帖最后由 ctq1235 于 2015-1-28 16:56 编辑
7 J; t3 B0 u& c% ]" ^
fallen 发表于 2015-1-28 14:14: c/ M! `# Q+ z- ]- F' ]6 K
问下VCC是否是和IO口一路的电源,比如3.3V,如果不是先查下上电时序
- l, ]8 U6 P/ w+ e7 B  K/ e; A如果是,那么把R6改小,比如4.7K。
关于3.3V时序,3.3V会比VCC晚起来一点点。) z/ r5 C$ x3 _* {: c
IO是通过单片机来控制,是VCC通过LDO降压后给单片机供电的。
% A& l/ M2 b; B但是我做过实验的,IO与单片机断开,直接让IO信号接3.3V和VCC两种方案,接3.3V时,MOS管还是跟之前一样有导通脉冲且脉冲电压有8V左右,但是接VCC,MOS管的导通脉冲电压有时小,有时大。
0 ]" p0 H" F2 S/ v0 R' u
作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 16:54
fjnhzhm 发表于 2015-1-28 16:03; c; U7 m; D& v. ]6 j
我觉得应该把C1去掉试试,另外R3和R7重复上拉了,留一个就好

& w6 O+ p6 x# O实际板子上,只有一个R7,R3是没有的,电容也NC的。8 v+ n& C! d# n

作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 16:57
技术流 发表于 2015-1-28 15:12" H: y, F% g' ^* O+ N
IO1 接的是什么?R5 是不是没贴?
+ m7 j: n' G) H" @0 T; E
R5是NC的,IO1接IO口,现在是直接接的3.3V电源。
/ d, B7 t) F/ I' C! [/ @! c  U
作者: fallen    时间: 2015-1-28 17:04
ctq1235 发表于 2015-1-28 16:53
8 a: S' m0 _7 C关于3.3V时序,3.3V会比VCC晚起来一点点。8 R5 a2 m) @6 n
IO是通过单片机来控制,是VCC通过LDO降压后给单片机供电的。/ r0 m7 K% _7 G
...
/ O1 s5 w0 A4 X/ P, I! S* C" B
楼主,图纸画的清晰一点,这样分析问题也好。5 S! \8 }' Y: }4 _" s, f* K) F
你把C1去掉。
& [0 n6 C5 O+ x) Y
作者: ctq1235    时间: 2015-1-28 17:41
fallen 发表于 2015-1-28 17:043 c/ B  ~# ?! F  Y3 ^' x/ O
楼主,图纸画的清晰一点,这样分析问题也好。
3 R, t  j5 i7 Q" g, w+ X你把C1去掉。

; F! ~2 Z% O  l9 U4 ^/ I& g0 t% cC1我已经去掉试过的& N* S- ]' Q. r7 ?8 \! t

作者: fallen    时间: 2015-1-28 17:47
ctq1235 发表于 2015-1-28 17:41
5 A7 ?% ^7 e5 ?  O" J" yC1我已经去掉试过的

2 Y% S4 N1 t4 s# E! L3 a2 R$ \按照你目前的实验来看,加快基级的电压了,那你可以把R6减小,并且尝试在上面并联电容,看是否有改善。
/ t4 A3 _' N" m( @9 A; Q
作者: littlepig    时间: 2015-1-28 21:54
楼主,你不觉得在导通瞬间,J9和J10是存在导通冲突么?有可能存在J10的基极先高电平,然后MOS管G极低电平,瞬间导通,然后J9基极拉高,J10的基级又变成低电平了,mos管G极拉高,mos管关断。因为R6比R1大,三极管基级对地是有电容的,基级电压其实是一个rc上电过程,那么明显,J9的基极比j10的基极上电晚一点点咯,建议j9的电阻小些看看是不是这个问题。
作者: littlepig    时间: 2015-1-28 21:55
r6改为10K,试试
作者: myl593799546    时间: 2015-1-28 23:25
本帖最后由 myl593799546 于 2015-1-28 23:34 编辑 ; h! X* E# l8 X+ j

" @3 h: l' P6 {: M应该这样接吧
作者: ctq1235    时间: 2015-1-29 09:04
fallen 发表于 2015-1-28 17:47
* ~( i5 m5 Z+ s" \% X4 a/ a  {按照你目前的实验来看,加快基级的电压了,那你可以把R6减小,并且尝试在上面并联电容,看是否有改善。

# e& B2 |5 L1 g我仿真过,R6改小的话,IO1的电平上升过程中,有些过程出现J9处于放大区,我这个电阻配置,能让它直接从截止区直接过度到饱和区。5 L7 _0 Z- ^7 I6 Q

作者: 技术流    时间: 2015-1-29 10:06
把R1和R7都改成10K试试
作者: 38447448    时间: 2015-1-29 11:58
楼主,IO口上电瞬间有可能是输出低电平的,再说你的VCC是多大?也是12v么?12v能上拉IO口么?那么高的电平?控制pmos用一个三极管就搞定了,基极下拉,用IO上拉来导通三极管。
作者: 中臣    时间: 2015-1-29 13:03
可以試試在 J10 基極對地接一個電容看看,延長J10的開啟時間。
作者: zlpkcnm    时间: 2015-1-29 15:51
改用MOS管 2N7002试试吧,讲J9,J10用2N7002代替,再往J10的GS上并一个1uf电容
作者: xianrui1989    时间: 2015-2-1 15:08
上电时你的IO1-2管脚应该是低电平,并不是上电顺序的问题,还有你是用什么做的仿真啊
作者: liangjiatian    时间: 2015-3-6 17:19
搞定了没?
作者: zhdyx-008    时间: 2015-3-10 22:26
分析
7 y5 f) a% e- p1. 将J10 去掉看看是否还会有瞬间导通情况,如果还是不行就是R7电阻大且有C1延时使得PMOS的Gate不能最快达到高电平。
6 M* ^0 {+ n! N1 |2.上一步线路优化完毕后,可以将R2去掉看看是否是IO端影响了。3 I) l2 C1 Z: A& c/ Z
3. J10的基极可以加一个0.1UF的电容延时一下试试。+ E6 ^! E4 u$ Q9 A
你这个电路感觉复杂了点,可以用一个3904控制的。
作者: CStaller    时间: 2015-3-11 15:20
1. J10基极加100nF电容(可适当加大,推迟J10导通)& X% `: }7 d$ P) C2 {
2. R7改为10K(可适当减小,跟PMOS结电容有关)
; S# R: N- n9 C3. R6改为100K(可适当减小,加快J9导通)
# T4 C; w% m7 n; T  @! }8 e% G
作者: yangcanhui07    时间: 2015-3-11 19:06
把C1改接到Q1的GS两个脚上就可以.因为上电初期C1上的电容是没有充电的,在上电期间g极就是从0V缓慢上升的,所以Q1是从导通再到截止的.& u5 K8 h. H9 ~' U2 J! m6 a
5 z5 }. `: }  E4 E. W  B. p
电路的阻容参数要优化




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