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标题: ddr3分享一下设计。 [打印本页]

作者: chisir2000    时间: 2014-9-29 17:01
标题: ddr3分享一下设计。
免费贡献给大家。2 b8 b$ J3 c# J0 O  \0 }

作者: liangweiss    时间: 2014-9-30 15:37
下载学习,多谢分享,顶一下
作者: mintjelly_abc    时间: 2014-10-11 09:53
电感 L1 在2~4层对应的部分都挖空了,能解释下作用吗?
作者: zhanglin880126    时间: 2014-10-24 11:59
同问3楼的,一直想知道电感腹部的覆铜是否要割掉?原因是什么?楼主给我们讲解一下啊,不甚感激
作者: 1010422901    时间: 2014-11-19 21:51
多谢分享!
作者: mc516    时间: 2014-11-23 20:17
好人啊,谢谢
作者: kiddy01    时间: 2014-11-25 10:01
多謝分享
作者: tb52088    时间: 2014-12-4 08:31
说是不要钱的为什么还要体力的
作者: qiantan    时间: 2014-12-4 08:42
ls的,看帖不仔细啊  明明有baidu 盘。。
作者: cousins    时间: 2014-12-4 15:00
zhanglin880126 发表于 2014-10-24 11:59, T) x/ s) @9 b
同问3楼的,一直想知道电感腹部的覆铜是否要割掉?原因是什么?楼主给我们讲解一下啊,不甚感激
; P  M0 E8 @0 k9 A6 u+ U$ D0 L
通俗点来讲,电感底部的地或者其他信号线会在电感间并上一个小的等效电容,使得有效电感值出现偏移。2 Y( H2 e0 [6 u4 _. i/ B6 ~
* x4 k0 _6 \. m" J, b6 j1 \; a; t
所以建议电感下部不要走任何其他网络线,包括地。
6 M! p. W8 l$ N1 E) T/ [
3 V- K! z4 k. [$ k" }
( s/ n6 g& t. @5 k( f
作者: zhanglin880126    时间: 2014-12-4 15:42
cousins 发表于 2014-12-4 15:00
% s. F* p4 F  F4 a3 Z# J* A通俗点来讲,电感底部的地或者其他信号线会在电感间并上一个小的等效电容,使得有效电感值出现偏移。
3 j/ r/ r" p+ w7 E( y, @* j2 r# `) c8 X* V/ v/ |/ a# D
...
7 W$ V  G: J* r1 T$ j8 i* O4 n& k8 U
那这个意思是要将电感下面每一层的地都要割开吗?还是说只是临近的层?/ K2 A' V) _' N+ B2 Z

作者: ggbingjie    时间: 2014-12-5 08:54
cousins 发表于 2014-12-4 15:00
: f8 t& {& z# |" W通俗点来讲,电感底部的地或者其他信号线会在电感间并上一个小的等效电容,使得有效电感值出现偏移。4 w$ \! O; U+ u
" F0 w2 x& U: w3 |' b' \
...
5 c4 W2 v; }) j0 U. h
我想问下,数据组与数据组之间有没有时序方面的要求?
% S- q0 y$ M7 D8 _9 N) @2 W: [
作者: cousins    时间: 2014-12-5 08:56
zhanglin880126 发表于 2014-12-4 15:42. V% O  w; t9 B. e
那这个意思是要将电感下面每一层的地都要割开吗?还是说只是临近的层?

1 b/ K& a1 G* r" g临近的层就够了。' N6 O$ N8 I8 H1 f, d% k8 g2 R' R1 r

! h8 {9 M$ Q' a0 w& x
作者: cousins    时间: 2014-12-5 09:00
ggbingjie 发表于 2014-12-5 08:54
- n+ p$ b  l( X1 r! l# c我想问下,数据组与数据组之间有没有时序方面的要求?

* X9 y& _! @' A* G4 m没有直接的要求,通常是组内DQ-DQS
: F) M! s  U+ `5 \& x1 k( L但是由于DQS与CK有时序要求,所以间接的要求还是有的,每一根线等长是最笨但是较为有效的做法,但是未必是时序裕度最大的设计,通常芯片内部还会有bump到die的线长,那未必是等长的,何况还有封装引起的上升沿变化使得相位偏移,所以,还是用模型仿真确定需要多少。通常300mil以内就能满足基本的时序要求。
% K7 c! r% N" C0 v. }. c9 m
7 `$ U& J. I. k8 g- f& L
作者: ggbingjie    时间: 2014-12-5 09:36
本帖最后由 ggbingjie 于 2014-12-5 11:08 编辑 . U" i4 }% ^6 v! O$ @; h( h
cousins 发表于 2014-12-5 09:00
2 e1 j2 E- ^7 p" a  F没有直接的要求,通常是组内DQ-DQS/ X" B- `: ?9 D- P% i
但是由于DQS与CK有时序要求,所以间接的要求还是有的,每一根线等长 ...

  m, N% |: K! z2 {6 rDDR3的规则* e2 D+ \3 m! a; b

作者: cousins    时间: 2014-12-5 10:04
你要看你是做什么产品的* B" h& b) M/ Z9 j0 W+ I) a
工业级,军事级的才可能满足你3W的要求,大部分民用的消费级产品很少有满足3W的。: m4 u& v- b! D+ K$ N
第九条要放在ddr颗粒stub前。( G. Q: b  i4 x
第二条25mil太夸张了,虽然很多design guide上是要求这样,但是即使你25mil等长了,未必你的延时就真的是这样,这和你路径上的过孔,拐角,蛇形绕线都有一定的关系,所以我的建议是100mil以内。
. ?1 L1 q! Z8 Y( G& q7 kcmd/addr/ctrl不必那么严格,有write leveling帮忙调shift to ck,所以你控制在300mil以内就可以了。& Z( q! y8 M5 x) s
vref做屏蔽这种事,有很多公司都这么做,我是没干过,也没见有SI问题。
3 R% h: |. ^2 O$ h# W: m其他都还是可以的。$ C8 k( ^  l9 r
fly-by拓补的每个颗粒clk对应的颗粒内的DQS约束即可,不用全部等长。write leveling是个好东西。
! q; D' I* o4 V3 w) C0 V+ J% @
# V0 `, v3 a: m5 m" j
作者: ruiquan765    时间: 2015-4-9 10:01
谢谢分享
作者: ecstasy    时间: 2015-4-9 20:49
DDR3的规则*
作者: eddiemoon    时间: 2015-4-10 16:06
我去,不知道文件好不好就5威望没了,这个这个
作者: jacekysun    时间: 2015-5-14 11:54
3ks
作者: GregoryDon    时间: 2015-5-18 10:05
学习一下
作者: 强通华威    时间: 2015-5-18 11:40
下载学习~~~~~~~~~~~~~~~~
作者: 123456789lil.    时间: 2015-6-2 13:47
看一下先啊
作者: 德军    时间: 2015-6-16 09:35
thanks a lot
作者: fangfalun    时间: 2015-6-25 10:47
多谢,下载下来看看
作者: lygo    时间: 2015-6-26 16:32
哥们:
7 e. y5 K8 s+ t2 t1、这个PCB有对应的原理图吗,怎么控制器除了电源引脚和DDR部份引脚,其它引脚都是悬的?' @: g  U9 W2 A4 z! }
2、DDR部份的规则是怎么设置的,是在CM里面直接设置还是SigxPlorer里面设置完导入的?
作者: lygo    时间: 2015-6-26 16:42
本帖最后由 lygo 于 2015-6-26 16:43 编辑 ; a9 Z, K2 x& }; _. r

* _: `2 H) p% H# WCM里的截图,ECS是灰色的

QQ拼音截图未命名.jpg (277.61 KB, 下载次数: 1)

QQ拼音截图未命名.jpg

作者: 小蒙art黑豆    时间: 2015-6-30 14:17
楼主是好人
作者: BYF    时间: 2015-7-21 16:10
口是心非,积分不够
作者: 77483084    时间: 2015-7-23 13:59
好东西
作者: 77483084    时间: 2015-7-23 13:59
下载下来看看
作者: rxcc    时间: 2015-8-14 11:17
好骗人,扣了5个威望呀,先看下内容再来
作者: lgtyt    时间: 2015-8-16 10:36
A20啊
作者: lgtyt    时间: 2015-8-16 10:36
A20啊
作者: i265    时间: 2015-8-18 09:36
好东西            
作者: maoni    时间: 2015-8-18 10:28
被你扣了5威望,没米了
作者: 丁响820425    时间: 2015-8-21 09:53
MY 威望啊
, [* U5 E! @+ H. w# E# J- A
作者: linyuanfei    时间: 2015-9-5 09:19
太感谢了!!1! a$ i: `! `, X# C, h

作者: fsklx2008    时间: 2015-9-7 13:12
谢谢分享!
作者: wwzn1107    时间: 2015-9-14 18:05
谢谢 分享 。。。。。
作者: CATdaily    时间: 2015-9-17 21:40
好贴,技术、人品,齐套!!
作者: xinjing_shen    时间: 2015-9-17 22:51
学习一下
作者: xm_smallp    时间: 2015-10-20 23:06
下载学习,谢谢分享!!!
作者: danghow    时间: 2015-12-7 13:50
有用,下下来看看。
作者: larryfarn    时间: 2015-12-7 18:54
多谢!
作者: martin221    时间: 2015-12-10 16:36
谢谢分享,顶一个。
作者: liutianxiang    时间: 2015-12-20 15:51
好呀
作者: liutianxiang    时间: 2015-12-20 15:53
好东西
作者: joyceyang    时间: 2015-12-20 23:38
多谢分享
作者: dx126321    时间: 2015-12-21 11:37
谦虚的学习学习
作者: binxw38    时间: 2016-1-14 14:49
来欣赏欣赏大杰作
作者: Mj飞    时间: 2016-1-15 08:54
谢谢分享,学习
作者: 萌萌哒苏欣    时间: 2016-1-19 16:31
赞赞赞
作者: 33293111    时间: 2016-1-21 15:02
谢谢分享
作者: a78233512    时间: 2016-2-19 10:14
谢谢分享
作者: zqy610710    时间: 2016-2-24 06:49
谢谢
作者: caler    时间: 2016-3-18 23:32
有时间下载
作者: caler    时间: 2016-3-21 14:54
这个得支持。。。。。。。。。。
作者: qingjiaoyousi@1    时间: 2016-3-24 14:10
谢谢分享!很好的资料!4 L& a, n4 u3 n3 l- L( Q- q

作者: zhoubo185    时间: 2016-3-27 21:08
好贴顶一个
% D6 T2 @0 E, h+ F: W+ U3 b
作者: wlaiye    时间: 2016-3-30 20:02
必须顶一下
作者: dyrsa    时间: 2016-3-31 17:53
好人啊
作者: Gery    时间: 2016-4-4 00:17
very good
作者: 云朵儿    时间: 2016-4-19 18:35
大侠,有没有PADS的DDR设计资料啊?
作者: kljy911    时间: 2016-4-20 09:06
ck与dqs有明确规范吗?
作者: 云朵儿    时间: 2016-4-21 18:07
想下载,可惜不够分
作者: yourjun    时间: 2016-4-29 09:09
多谢,好好学习
作者: ls358    时间: 2016-5-3 15:19
谢谢分享!!
2 [$ ?0 s' O! d6 i; Z) b$ l4 A
作者: 远山痕    时间: 2016-5-9 07:58
看看
作者: ls358    时间: 2016-5-26 17:26
地址无效了& |) R6 s$ J/ o9 [. G

作者: 980155498cai    时间: 2016-5-27 14:40
你不是说下载不要钱吗??为什么还收钱
作者: 980155498cai    时间: 2016-5-27 14:41
mintjelly_abc 发表于 2014-10-11 09:53# s# V4 {) Q* y" s( ?  b) M. y
电感 L1 在2~4层对应的部分都挖空了,能解释下作用吗?
+ D! ]$ s5 U) i2 K6 e9 l! L
大的电感在内层挖空是比较好的* x1 _) Y. \  k

作者: mintjelly_abc    时间: 2016-6-20 10:11
980155498cai 发表于 2016-5-27 14:41
& i: Z8 i* t4 d4 p大的电感在内层挖空是比较好的
' [- C: S1 \- C- l
时间太久了,我都忘了问过这个问题了。我这边现在的处理基本上都是电感下面不走信号线,GND 和 PWR 就没有做处理。
作者: 980155498cai    时间: 2016-6-20 11:06
大的电感就是这样处理时最好的
作者: ly06341112    时间: 2016-6-20 15:30
下载学习,多谢分享,顶一下
作者: li262925    时间: 2016-6-22 11:23
顶一下
作者: wwddss_1976    时间: 2016-6-26 18:02
留存备用
作者: huang1234    时间: 2016-7-2 22:40
谢谢分享
作者: hy20060614    时间: 2016-7-25 15:48
谢谢分享
作者: zhouzenghui    时间: 2016-8-2 18:07
学习。欣赏!
作者: dyunasing    时间: 2016-8-23 08:43
感谢。
作者: hanna2012    时间: 2016-8-25 11:32
:):):)
作者: wuyj    时间: 2017-11-13 10:47
看看
作者: RickGao    时间: 2017-11-13 15:19
看看
作者: chenyuanzhi1989    时间: 2017-11-13 20:13

! Z7 D+ k: ^/ f' V
作者: kosss    时间: 2017-11-14 09:53
学一下9 l( {6 V$ @% `. w) T

作者: wcz83    时间: 2017-11-15 14:41

$ U7 p8 C& J& e3 j多谢分享!
作者: robert-pcb    时间: 2017-11-22 14:53
多谢分享7 f: n. p; M$ G

作者: xiaowei001    时间: 2017-11-22 16:56
学习学习
作者: liling20089    时间: 2017-11-23 20:22
KKKKKKK8 a$ T& O) ~: m. }+ m

作者: zc333    时间: 2017-11-28 11:59
看看再说吧吧
作者: 雷华    时间: 2017-11-28 19:31
不错!!!!!!!!!!!
作者: dowdow2004    时间: 2017-12-3 18:05
参考一下
作者: mood888    时间: 2017-12-4 12:34
看样不错的
5 d6 v, i4 r+ G" S; f
作者: kerwinash    时间: 2017-12-6 09:11
谢谢分享
作者: susanqiuhong    时间: 2017-12-6 15:20
学习下
# \- ^" |  y$ }6 r( u7 c/ A
* a; f1 P0 E9 j$ t  ?
作者: nj841    时间: 2017-12-7 17:15
感谢楼主分享。0 K$ u8 i7 x1 P* K  r

作者: 贾子木    时间: 2017-12-7 22:18
谢谢分享
作者: Jehuquan    时间: 2017-12-8 09:07
学习
作者: 跨越    时间: 2017-12-10 20:58
包括原理图和PCB吗




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